反射式变掺杂负电子亲和势GaN光电阴极量子效率研究

发布时间：2018-05-13 05:29

  本文选题：GaN + 光电阴极　； 参考：《物理学报》2017年06期

【摘要】：从变掺杂负电子亲和势(NEA)Ga N光电阴极材料的光电发射机理入手,给出了反射式变掺杂NEA Ga N光电阴极内建电场和量子效率的计算公式.利用初步设计的变掺杂NEA Ga N光电阴极,介绍了变掺杂NEA Ga N阴极的激活过程和激活光电流的变化特点.结合国内外典型的变掺杂NEA Ga N阴极的量子效率曲线,分析了Ga N光电阴极量子效率曲线的特点.结果显示:由于内建电场的存在,反射式变掺杂NEA Ga N光电阴极量子效率在240 nm处即可达到56%,在较宽的入射光波长范围内,阴极具有相对平稳的量子效率,量子效率值随入射光子能量的增加而增加,并且量子效率曲线在阈值附近表现出了明显的锐截止特性.
[Abstract]:Based on the photoemission mechanism of variable-doped negative electron affinity potential (NEA) Ga N photocathode materials, the formulas for calculating the internal electric field and quantum efficiency of reflective variable-doped NEA Ga N photocathodes are presented. The activation process and the characteristics of active photocurrent of variable-doped NEA Ga N photocathodes are introduced using the preliminary design of variable-doped NEA Ga N photocathodes. The characteristics of quantum efficiency curves of gan photocathodes are analyzed based on the quantum efficiency curves of variable-doped NEA Ga N cathodes at home and abroad. The results show that the quantum efficiency of reflective variable-doped NEA Ga N photocathodes can reach 56 at 240nm due to the existence of an internal electric field, and the cathode has a relatively stable quantum efficiency in a wide range of incident wavelength. The quantum efficiency increases with the increase of incident photon energy, and the quantum efficiency curve shows sharp cutoff near the threshold.
【作者单位】： 南阳理工学院电子与电气工程学院;南京理工大学电子工程与光电技术学院;
【基金】：国家自然科学基金(批准号:61371058)资助的课题~~
【分类号】：O462.3

【相似文献】

相关期刊论文 前10条

1 佘永正;杨海泉;;半透明干涉光电阴极[J];光学机械;1985年01期

2 陈庆佑;夜视成象器件特性与光电阴极照度关系的研究[J];红外研究(A辑);1986年05期

3 刘力滨;高鲁山;;光电阴极的研究现状和发展趋势[J];应用光学;1988年02期

4 牛憨笨,王云程,杨勤劳,张济康;一种光电阴极导电基底[J];物理;1990年11期

5 邹继军;常本康;杜晓晴;陈怀林;王惠;高频;;铯氧比对砷化镓光电阴极激活结果的影响[J];光子学报;2006年10期

6 常本康;;大面积MCP-PMT K_2CsSb光电阴极理论与测控技术研究[J];红外技术;2013年08期

7 佘永正;朱焕文;;高效能光电阴极[J];物理通报;1964年06期

8 吴全德;关于银氧铯光电阴极的发射机理[J];科学通报;1978年07期

9 吴全德;;谈谈光电阴极的赶超问题[J];应用光学;1980年01期

10 陈同庆;;研究锑化碱光电阴极的光学方法[J];应用光学;1982年01期

相关会议论文 前3条

1 赵文锦;;透射式碲铷光电阴极的工艺和特性研究[A];中国电子学会真空电子学分会第十二届学术年会论文集[C];1999年

2 陈怀林;常本康;张俊举;杜晓晴;;高温激活的变掺杂GaAs光电阴极研究[A];第二届红外成像系统仿真测试与评价技术研讨会论文集[C];2008年

3 陈平;刘敏;周荣楣;;Cs_2Te光电阴极的研制及其结构特性的探讨[A];中国电子学会真空电子学分会第十一届学术年会论文集[C];1997年

相关博士学位论文 前8条

1 乔建良;反射式NEA GaN光电阴极激活与评估研究[D];南京理工大学;2010年

2 杜晓晴;高性能GaAs光电阴极研究[D];南京理工大学;2005年

3 任玲;GaAs光电阴极及像增强器的分辨力研究[D];南京理工大学;2013年

4 牛军;变掺杂GaAs光电阴极特性及评估研究[D];南京理工大学;2011年

5 邹继军;GaAs光电阴极理论及其表征技术研究[D];南京理工大学;2008年

6 赵静;透射式GaAs光电阴极的光学与光电发射性能研究[D];南京理工大学;2013年

7 杨智;GaAs光电阴极智能激活与结构设计研究[D];南京理工大学;2010年

8 宋娟;基于脉冲星导航的MCP空间X射线探测器关键技术的研究[D];中国科学院研究生院（西安光学精密机械研究所）;2014年

相关硕士学位论文 前10条

1 刘如彪;高性能光电阴极工艺监控技术研究[D];南京理工大学;2008年

2 苗壮;透射式GaN/GaAlN光电阴极材料及组件光电性能测试与评价技术研究[D];南京理工大学;2014年

3 安迎波;碱锑光电阴极特性模拟研究[D];中国科学院研究生院（西安光学精密机械研究所）;2014年

4 姚雪燕;GaAs光电阴极自动激活技术研究[D];南京理工大学;2009年

5 李敏;NEA光电阴极光谱响应特性研究[D];南京理工大学;2004年

6 杜玉杰;NEA光电阴极激活及性能测试技术研究[D];南京理工大学;2004年

7 杨铭;NEA GaN光电阴极制备以及激活方法研究[D];南京理工大学;2010年

8 杨春花;GaAs光电阴极缺陷特性研究[D];南京理工大学;2012年

9 孙巧霞;快响应InP/InGaAs/InP红外光电阴极的研究[D];中国科学院研究生院（西安光学精密机械研究所）;2014年

10 叶钧;GaAs光电阴极激活工艺的自动控制研究[D];南京理工大学;2009年

，

本文编号：1881876