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同步辐射高压单晶衍射实验技术

发布时间:2018-05-31 02:43

  本文选题:高压 + 单晶 ; 参考:《物理学报》2017年03期


【摘要】:利用同步辐射光源开展高压X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)研究已有近四十年的历史,并且已经取得了非常丰硕的成果.单晶XRD作为高压研究的一部分,在同步辐射装置上的应用也有了接近三十年的历史.近年来,随着同步辐射光学技术以及高压技术、特别是大衍射窗口金刚石对顶砧压腔(diamond anvil cell,DAC)的改进与发展,同步辐射高压单晶衍射实验方法在高压研究中的应用越来越普及.由于能够在压力条件下获得样品在三维空间中的衍射信息分布以及数据具有高信噪比等优势,单晶XRD实验方法不仅可以用于压力条件下的晶体结构解析,如获取晶胞参数、空间群、原子坐标以及原子占位等信息,而且可进一步做晶体电荷密度分析研究,得到更多的化学键、电荷分布及其变化等信息.本文主要介绍同步辐射高压单晶XRD实验方法及相关技术,其中包括单晶XRD实验系统、单晶XRD所用DAC、单晶样品装填以及单晶XRD数据处理等内容.
[Abstract]:It has been nearly 40 years since the synchrotron radiation source was used to study the high pressure X-ray diffraction-X-ray diffraction (XRD), and great achievements have been made. As a part of high voltage research, single crystal XRD has been used in synchrotron radiation devices for nearly 30 years. In recent years, with the improvement and development of synchrotron radiation optics and high-voltage technology, especially the large diffractive window diamond anvil chamber diamond cell dacc, the synchrotron radiation high-voltage single crystal diffraction method has become more and more widely used in high-voltage research. Because the diffraction information distribution in three-dimensional space and the high SNR of the sample can be obtained under the pressure condition, the single crystal XRD experimental method can not only be used to analyze the crystal structure under the pressure condition, such as obtaining the unit cell parameters. The information of space group atomic coordinate and atomic occupation can be further studied and more information such as chemical bond charge distribution and its change can be obtained. This paper mainly introduces the experimental methods and related techniques of synchrotron radiation high voltage single crystal XRD, including single crystal XRD experimental system, DAC used in single crystal XRD, single crystal sample filling and single crystal XRD data processing, etc.
【作者单位】: 中国科学院高能物理研究所多学科中心;北京工业大学固体微结构与性能研究所;
【基金】:国家自然科学基金(批准号:11274030,11474281)资助的课题~~
【分类号】:O521.3

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本文编号:1958002

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