SiH分子特性和势能函数的外场效应

发布时间：2018-07-13 12:22

【摘要】：设置不同的外电场参量,采用B3P86/cc-PV5Z方法优化计算,获得不同外电场中SiH分子的键长、偶极矩、振动频率和红外光谱等物理性质参数.在此基础上采用单双取代耦合团簇CCSD(T)方法和相同的基组,扫描计算单点能获得相关势能曲线.结果表明在外电场中物理性质参数和势能都发生了较大变化,且在反向电场中变化幅度更明显.为了分析外电场效应,本文引入偶极近似构建外电场中的势能函数模型,编制程序拟合对应的势能函数,得出拟合参数,进而计算临界离解电场参量,结果与数值计算和理论分析较为一致,误差都在4%以内,说明构建的模型是合理和可靠的.这为分析外电场中分子光谱、动力学特性和分子Stark效应冷却囚禁提供一定的理论和实验参考.
[Abstract]:By using B3P86 / cc-PV5Z method, the parameters of bond length, dipole moment, vibration frequency and infrared spectrum of SiH molecule in different external electric fields are obtained. On this basis, the single and double substituted coupling cluster CCSD (T) method and the same basis set are used to obtain the correlation potential energy curve by scanning the single point energy. The results show that the physical properties and potential energy of the external electric field have changed greatly, and the amplitude of the change is more obvious in the reverse electric field. In order to analyze the effect of external electric field, the model of potential energy function in external electric field is constructed by using dipole approximation, the corresponding potential energy function is fitted by program, the fitting parameters are obtained, and the critical dissociated electric field parameters are calculated. The results are consistent with the numerical calculation and theoretical analysis, and the error is less than 4%, which shows that the model is reasonable and reliable. This provides a theoretical and experimental reference for the analysis of molecular spectra, kinetic characteristics and molecular Stark effect cooling trapping in external electric fields.
【作者单位】： 井冈山大学数理学院;
【基金】：国家自然科学基金(11564019,11147158,11264020)
【分类号】：O561

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本文编号：2119354