Pb过量和种子层对PLZT薄膜的影响

发布时间：2018-07-18 08:33

【摘要】：采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上制备不同Pb过量(未过量、10%、15%)和引入不同厚度(0、100nm、500nm)锆钛酸铅(PZT)缓冲层的锆钛酸铅镧(PLZT)反铁电薄膜,通过原子力显微镜、X线衍射表征分析薄膜的微观结构。结果表明,过量10%的Pb组分有助于形成钙钛矿结构,获得较大的晶粒尺寸和理想的粗糙度;100nm的PZT缓冲层的引入有利于PLZT薄膜晶化,形成较致密、结晶状况良好的薄膜。
[Abstract]:Lead lanthanum zirconate titanate ( PLZT ) antiferroelectric thin films with different Pb ( 0 , 100 nm , 500 nm ) lead zirconate titanate ( PZT ) buffer layers were prepared by sol - gel method on Pt / Ti / SiO _ 2 / Si substrates . The microstructure of thin films was characterized by atomic force microscopy and X - ray diffraction .
【作者单位】： 中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室;中北大学电子测试技术重点实验室;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(51422510,51175483,61401460)
【分类号】：O484

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本文编号：2131345