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InP基InAs量子线异常的变温光致发光谱研究

发布时间:2018-08-30 20:41
【摘要】:制备了InAs/InAlGaAs/InP(001)量子线结构,利用变温光致发光谱(PL)研究了InAs量子线的光学特性.随温度增加InAs量子线PL谱的发光峰位呈异常的S型变化,即:在15K~35K时峰位红移;在35K~55K温度范围内峰位发生了蓝移;随后随温度进一步增加,峰位再次发生红移.分析认为这种S型峰位的变化可能是由于不同温度下载流子的不同复合机制所引起的.
[Abstract]:The structure of InAs/InAlGaAs/InP (001) quantum wire was prepared. The optical properties of InAs quantum wire were studied by means of variable temperature photoluminescence spectroscopy (PL). The luminescence peaks of InAs quantum wires show abnormal S-type changes with increasing temperature, that is, the red shift of the peak at 15K~35K, the blue shift of the peak in the range of 35K~55K, and the redshift of the peak again with the increase of temperature. It is suggested that the variation of the S-type peak position may be due to the different recombination mechanism of carriers at different temperatures.
【作者单位】: 邯郸学院机电学院;中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室;
【基金】:国家自然科学基金项目(批准号:60990315) 国家重点基础研究发展规划项目(批准号:2006CB604904) 邯郸市科学技术研究与发展计划项目(批准号:1621202043-1)资助的课题
【分类号】:O471.1

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本文编号:2214232

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