氧空位迁移造成的氧化物介质层时变击穿的蒙特卡罗模拟

发布时间：2018-11-03 13:45

【摘要】：基于氧空位在金属氧化物内部迁移的微观机理,利用蒙特卡罗方法建立了一种新型的可模拟金属氧化物介质时变击穿的模拟工具.利用建立的模拟工具研究了界面形成氧空位迁移功函数对介质层击穿行为的影响.该工具可应用于金属氧化物半导体晶体管栅介质击穿研究并准确评估其可靠性.
[Abstract]:Based on the microscopic mechanism of oxygen vacancy migration in metal oxides, a new simulation tool for simulating the time-varying breakdown of metal oxide media is established by Monte Carlo method. The influence of the oxygen vacancy migration work function on the breakdown behavior of the dielectric layer has been studied by using the established simulation tool. This tool can be used to study gate dielectric breakdown of metal oxide semiconductor transistors and accurately evaluate its reliability.
【作者单位】： 北京理工大学机电学院;
【分类号】：O469

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本文编号：2307965