Y、Zr、Nb掺杂ZnS半导体第一性原理计算

发布时间：2018-12-12 08:16

【摘要】：本文采用第一性原理研究了Y,Zr,Nb在Zn位掺杂ZnS半导体的能带结构和态密度.研究结果表明:Y,Zr,Nb掺杂体系的价带顶与导带底都在布里渊区的G点,为直接带隙半导体材料,掺杂对带隙宽度影响不大,掺杂结构的导带向低能区移动;Y,Zr,Nb在Zn位掺杂的Zn S的费米能级从价带顶移至导带底,说明掺杂后ZnS半导体材料从p型转变为n型,同时费米能级处出现数条杂质能级;Y,Zr,Nb掺杂体系的总态密度的贡献主要来源于Zn 4s、Y,Zr,Nb的4d 5s以及S 3p相互作用.
[Abstract]:In this paper, the energy band structure and density of states of Zn site doped ZnS semiconductors have been investigated by first principles. The results show that the valence band top and the bottom of the conduction band are at the G point in Brillouin region. The doping has little effect on the band gap width, and the conduction band of the doped structure moves to the low energy region. The Fermi level of Zn doped Zn S is shifted from the top of the valence band to the bottom of the conduction band, which indicates that the doped ZnS semiconductor material changes from p-type to n-type, and there are several impurity levels at Fermi level. The contribution of the total density of states to the doped system is mainly due to the 4d 5s and S 3p interaction of Zn 4s ~ (-) Y ~ (2 +) Zr ~ (2 +) NB.
【作者单位】： 重庆财经职业学院应用设计系;
【分类号】：O469;O47

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本文编号：2374249