基于时域有限元的集成结构中多物理高效并行仿真方法研究
【图文】:
式[C存在SOC所存在的集成缺点。SOP技术将有源、无源、散热结构、互连等通过纳米逡逑技术进行微型化,其封装尺度大于英特尔奔腾处理器的封装大小,可以认为“封装就是系逡逑统”,SOP的基本结构如图1-1所示。它包括数字CMOS/IC和元器件部分以及系统封装和逡逑元器件部分。SOP技术使CMOS和系统集成相兼容,克服了由于硅技术并不能为热结构逡逑和无源器件等提供最优平台的缺缺陷,被认为是目前最好的系统集成技术[11]。逡逑逦邋系统集成逡逑\逦f无源器件\逦/逡逑\逦{邋R,L,C,滤波器,天线,)逦/逡逑\邋\^波导,微机电系统y逦y逡逑’逦有源器^)逡逑图1-1系统封装技术结构示意图[nl逡逑目前有多所大学,研究所、国家实验室和公司研发部门如佐治亚理工、丨BM、sandia国逡逑2逡逑
LnB|j|MH|^HHnra^BB逦^-ca^aS?邋Conduction邋0邋oxygen邋atom逡逑图1-3阻变存储器的导电细丝阻变机理逡逑阻变存储器单元的简单结构易于其进行三维集成。交叉电极结构是典型的阵列结构,逡逑理论上可以达到最高的集成密度(4F2),然而这结构很容易发生信息的误读【47]。这是由于逡逑阻变存储器高阻态和低阻态电阻比值往往很大(大于10倍),电流可以通过周围低阻态器逡逑件流出,造成电阻状态的读取错误。该过程如图l-4(a)所示。为了防止这种漏电流(Sneak逡逑Path)的产生,研究者通过将阻变存储单元和二极管串联组成ID1R结构(如图l-4(b)),由逡逑于二级管具有很大反向电阻,这种结构可以很好的抑制反向漏电流1?1。逡逑y'=Uy邋HI.逡逑V-^邋r*逦<逦V邋^逡逑Active逡逑逦kK邋—逦邋cell邋,-\J^逦\邋hfi邋,,以逡逑'Vl逦^逦^^..un^r:邋KI邋4逡逑ra』j邋K
【学位授予单位】:浙江大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2018
【分类号】:O4-39
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本文编号:2603634
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