拓扑d-波超导约瑟夫森结
【学位授予单位】:南京师范大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2019
【分类号】:O469
【图文】:
)表示三维拓扑绝缘体的狄拉克表面态的示意图,图中箭维拓扑绝缘体与二维拓扑绝缘子体在本质上没有度控制在几纳米的极限时,这种量子薄膜可能是二维拓扑绝缘体的厚度叠加成三维系统时,这样的
Klaus邋von邋Klitzing研究结果中发现,在低温、强磁场环境下半导体逡逑与异质交界面处的二维导电层,又称二维电子气(Two-Dimensional邋Electron邋gas)逡逑具有特殊的电子输运特性,其在强磁场中的霍尔电阻与磁场的线性关系将引起偏逡逑差,不再是线性的,而是呈现出一种阶梯状,即“量子化”,并且每个阶梯平台逡逑所对应的电阻值准确满足h/w2,纵向电阻降到零,其中A为普朗克常数,e为逡逑电子电量,v为一个整数。这些现象很清楚地表明这是一种量子效应,后来就被逡逑称为量子霍尔效应。逡逑物理学家发现量子霍尔系统样品边缘的v个导电通道对量子霍尔系统有贡逡逑献,被称为边缘态。图(2.3a)展示了量子霍尔效应的边缘态,其特点是手性的逡逑
尔(Edwin邋Hall)于1879年发现的,是自然界中最基本的电磁现象之一。将一个通逡逑电的导体放置在磁场中,电荷沿磁场的垂直方向运动产生电流。在外部磁场中,逡逑当电荷移动时,它受磁场的洛伦兹力的影响,这是载流子运动的偏移,如图2.2逡逑所示。实验结果产生了一个垂直于电流和磁场方向的横向电位差。在这种现象中逡逑定义了霍尔电阻,其值与磁场呈线性关系。逡逑图2.2霍尔效应现象逡逑1980年,Klaus邋von邋Klitzing研究结果中发现,在低温、强磁场环境下半导体逡逑与异质交界面处的二维导电层,又称二维电子气(Two-Dimensional邋Electron邋gas)逡逑具有特殊的电子输运特性,其在强磁场中的霍尔电阻与磁场的线性关系将引起偏逡逑差,不再是线性的,而是呈现出一种阶梯状,即“量子化”,并且每个阶梯平台逡逑所对应的电阻值准确满足h/w2,纵向电阻降到零,其中A为普朗克常数,e为逡逑电子电量,v为一个整数。这些现象很清楚地表明这是一种量子效应,后来就被逡逑称为量子霍尔效应。逡逑物理学家发现量子霍尔系统样品边缘的v个导电通道对量子霍尔系统有贡逡逑献
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本文编号:2791996
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