高质量FeSe薄膜制备条件探索
发布时间：2020-12-13 03:45
在铁基超导体中,FeSe化学组成和结构简单,物性丰富,特别是超导转变温度Tc可调范围广,是铁基高温超导机理研究的理想载体。高质量的样品是保障深入研究其机理的前提。为了获得高质量FeSe薄膜样品,在课题组以往工作基础上,我们系统和细致地探索了脉冲激光沉积制备单晶薄膜过程中涉及的关键工艺参数,并基于机器学习初步探讨了生长条件与Tc的关系模型。本论文的具体研究内容如下:（1）探索了FeSe薄膜的最佳沉积温度。在CaF2衬底下薄膜合适的生长温度为350℃,对比了不同温度下生长的样品的扫描电子显微镜图。（2）系统研究了FeSe薄膜在不同衬底上的生长情况。在12种单晶衬底上,包括CaF2、LiF、SrTiO3、MgO、BaF2、TiO2（100）、LaAlO3、MgF2、掺Nb:SrTiO3、LSAT、（Sr,La）AlO4和MgAl2O...
【文章来源】：中国科学院大学(中国科学院物理研究所)北京市
【文章页数】：54 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
超导历史[1]
图 1.3 铁基超导体四大家族：(a)1111,(b)122,(c)111,(d)11 体系[13]s 基包括：“1111”体系 RFeAsO（R：稀土元素）包括 LaFeAsO[6]，Sm15]等。“122”型 BaFe2As2[16]，SrFe2As2[17]或 CaFe2As2[18];“111”型As[22, 23]和 LiFeP[24]，如图 1.3 所示，还有更复杂的变体，如 4262 基超导体最简单的有“11”、“122”体系。11 型化合物具有最加压后其 Tc可达到 36.7K[25]。不过，FeSe 基具有最简单的晶片之间的晶格失配会使得 Tc增强。单层膜的 FeSe 甚至可达到 的块材在 90K 出现轨道序导致的结构相变[27]，中子衍射发现的自旋涨落，这些都与 FeAs 基有很大的差别。因此 FeSe 体系研究中占有重要地位，在 FeSe 的奇异物性中，最受瞩目的就e1±x在不同调控手段下其对应的 Tc可从 9K 附近变化至 65K 以象的内在机制对铁基高温超导机理的理解具有至关重要的意 样品研制实验主要包括块材和薄膜两大部分。整体来说，Fe
高质量 FeSe 薄膜制备条件探索些显著的优势，PLD 的工业应用仍然进展缓慢，迄今究。基本上有三个主要原因：1.在激光烧蚀过程中产向前的，因此在衬底上沉积的材料的厚度非常不均小，通常为 1cm2，与需要面积覆盖 （7.5×7.5）积相比显然不够。3.被烧蚀的材料包含熔体材料的宏些微粒沉积在衬底上显然不利于所沉积膜的性质。过程尚未完全了解，因此新型材料的沉积通常需要沉
本文编号：2913833
【文章来源】：中国科学院大学(中国科学院物理研究所)北京市
【文章页数】：54 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
超导历史[1]
图 1.3 铁基超导体四大家族：(a)1111,(b)122,(c)111,(d)11 体系[13]s 基包括：“1111”体系 RFeAsO（R：稀土元素）包括 LaFeAsO[6]，Sm15]等。“122”型 BaFe2As2[16]，SrFe2As2[17]或 CaFe2As2[18];“111”型As[22, 23]和 LiFeP[24]，如图 1.3 所示，还有更复杂的变体，如 4262 基超导体最简单的有“11”、“122”体系。11 型化合物具有最加压后其 Tc可达到 36.7K[25]。不过，FeSe 基具有最简单的晶片之间的晶格失配会使得 Tc增强。单层膜的 FeSe 甚至可达到 的块材在 90K 出现轨道序导致的结构相变[27]，中子衍射发现的自旋涨落，这些都与 FeAs 基有很大的差别。因此 FeSe 体系研究中占有重要地位，在 FeSe 的奇异物性中，最受瞩目的就e1±x在不同调控手段下其对应的 Tc可从 9K 附近变化至 65K 以象的内在机制对铁基高温超导机理的理解具有至关重要的意 样品研制实验主要包括块材和薄膜两大部分。整体来说，Fe
高质量 FeSe 薄膜制备条件探索些显著的优势，PLD 的工业应用仍然进展缓慢，迄今究。基本上有三个主要原因：1.在激光烧蚀过程中产向前的，因此在衬底上沉积的材料的厚度非常不均小，通常为 1cm2，与需要面积覆盖 （7.5×7.5）积相比显然不够。3.被烧蚀的材料包含熔体材料的宏些微粒沉积在衬底上显然不利于所沉积膜的性质。过程尚未完全了解，因此新型材料的沉积通常需要沉
本文编号：2913833
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