激光晶化制备硅量子点/碳化硅多层膜p-i-n结构的光伏特性探索

发布时间：2021-01-04 22:07

　　对不同能量密度激光晶化的硅量子点/碳化硅周期性多层膜的结构与光学性质进行了研究.结果表明,激光晶化技术可以获得晶化的硅量子点并且保持良好的周期性层状结构;随着激光能量密度的增大,多层膜中的硅量子点的晶化率和晶粒尺寸都随之增大,光吸收系数增强,吸收边红移,光学带隙减小.进而初步尝试了对在镀有氧化铟锡（ITO）透明导电电极的玻璃衬底上制备的基于硅量子点/碳化硅周期性多层膜的全硅量子点太阳能电池光伏性能的探索,提出利用KrF准分子脉冲激光晶化技术代替传统的高温退火技术来获得全硅量子点电池的方法,以避免长时间的高温过程对玻璃衬底和ITO膜的破坏,获得了有效面积为0.8cm2的电池.研究发现激光晶化技术制备的全硅量子点电池具有良好的整流特性,并且随着激光能量密度的增大,电池的外量子效率先增大后减小,170mJ·cm^-2是最佳的激光晶化能量密度,基于此条件制备的全硅量子点电池初步获得了0.16mA·cm-2的短路电流密度. 

【文章来源】：南京大学学报(自然科学). 2017年03期 北大核心

【文章页数】：8 页

【文章目录】：
1 实验部分
    1.1 原料
    1.2 实验步骤
        1.2.1 基于非晶硅/非晶碳化硅 （a-Si/a-SiC） 周期性多层膜p-i-n结构的制备
        1.2.3 全硅量子点太阳能电池的制备
    1.3 表征与测试
2 结果与讨论
    2.1 拉曼散射光谱分析
    2.2 TEM图像分析
    2.3 样品的光学性质
    2.4 电池的器件特性
3 结论



本文编号：2957454