间歇式As中断生长InGaAs/GaAs量子点

发布时间：2021-02-08 06:35

　　采用间歇式As中断方法利用分子束外延（MBE）生长了不同厚度的InGaAs量子点,并通过反射式高能电子衍射仪（RHEED）以及扫描隧道显微镜（STM）对其表面进行形貌表征与分析。研究发现间歇式As中断方法有利于改善量子点的均匀性,同时量子点的表面形貌特征由生长温度和沉积厚度决定;量子点沉积厚度越大,量子点面密度越高;在一定生长温度范围内,生长温度越高量子点分布均匀性越强,反之则越弱;研究还发现InGaAs量子点的生长过程中存在3个截然不同的阶段和两种明显的生长模式转变点,3个阶段分别是层状生长阶段、量子点形成阶段和量子点自合并成熟阶段,两种生长模式转变点分别是SK转变和量子点自合并熟化转变。 

【文章来源】：功能材料. 2017,48(05)北大核心

【文章页数】：5 页

【文章目录】：
0 引言
1 实验
2 实验结果与讨论
    2.1 实验方案
    2.2 实验结果
    2.3 实验数据分析与讨论
3 结论


【参考文献】：
期刊论文
[1]MBE生长GaAs（001）薄膜表面的Ostwald熟化过程研究[J]. 王继红,罗子江,周勋,郭祥,周清,刘珂,丁召.  功能材料. 2013(06)
[2]反射式高能电子衍射实时监控的分子束外延生长GaAs晶体衬底温度校准及表面相变的研究[J]. 周勋,杨再荣,罗子江,贺业全,何浩,韦俊,邓朝勇,丁召.  物理学报. 2011(01)



本文编号：3023512