X射线辐照圆柱腔体SGEMP电子发射参数的计算

发布时间：2021-04-27 14:59

　　用MCNP程序对X射线辐照圆柱腔端面和侧面激励光电子发射的过程进行模拟,计算得到了出射电子的能谱、θ角分布及产额等发射参数随X射线入射状态的变化规律,并给出了处理曲面发射问题的蒙特卡罗（MC）统计方法,拟合得到了能谱参数E₁随黑体温度和入射角变化的经验公式。利用MC抽样方法给出了将电子发射参数与3维全电磁PIC程序结合的宏粒子构建方式,并完成了X射线辐照圆柱腔体侧面激励的系统电磁脉冲场环境的模拟计算。结果表明,在模型边、角等几何变化处容易出现电场强度、磁场强度的极大值,需要对这些部位进行有效的抗系统电磁脉冲加固。 

【文章来源】：现代应用物理. 2020,11(01)

【文章页数】：9 页

【文章目录】：
1 计算模型
2 电子发射参数的计算
    2.1 电子产额
    2.2 角分布
    2.3 能谱分布
3 程序思路及验证
4 模拟结果
5 结论


【参考文献】：
期刊论文
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本文编号：3163671