磷烯类同质/异质结电子结构第一性原理研究
发布时间:2021-05-09 12:09
磷烯具备10420cm2V-1s-1载流子迁移率和120eV可见光响应带隙特性,是后硅基时代半导体材料的优良备选之一。鉴于同质/异质结除了能继承父系材料的主要电子结构性质外,往往还显示出易于调控的电学性质,构造磷烯类同质/异质结已成为进一步改善和调控磷烯类半导体器件性能的有效手段。本文选取了三种典型的磷烯类同质/异质结:磷烯/六角氮化硼(P/h-BN)异质结、90?旋转双层磷烯同质结、硒化钨/碘化铬(WSe2/CrI3)异质结,利用第一性原理计算的方法对这些材料的载流子迁移率、载流子有效质量各向异性、谷电子特性等电子结构性质进行了研究。另外,考虑到实际应用通常采用应力、电场等手段调控材料性质,本论文对这三种材料的电子结构性质在应力、外电场的响应情况也作了讨论,得到的主要结论如下:1.h-BN衬底的引入,使P/h-BN异质结的二维弹性模量提高了约16020J/m2;同时h-BN衬底的宽带隙特征...
【文章来源】:兰州大学甘肃省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校
【文章页数】:64 页
【学位级别】:硕士
【文章目录】:
摘要
Abstract
第一章 绪论
1.1 磷烯
1.2 磷烯类结构材料及范德瓦尔斯同质/异质结构
1.3 本文研究内容
参考文献
第二章 密度泛函理论与计算软件
2.1 密度泛函理论
2.2 计算软件SIESTA简介
2.3 计算软件VASP简介
参考文献
第三章 磷烯/氮化硼异质结的电子结构性质
3.1 引言
3.2 计算方法
3.3 磷烯和六角氮化硼的原子及电子结构
3.4 P/h-BN异质结的原子及电子结构
3.5 异质结的载流子迁移率及其相关参数
3.6 小结
参考文献
第四章 旋转双层磷烯同质结的电子结构性质
4.1 引言
4.2 计算方法
4.3 双层磷烯的原子及电子结构
4.4 90°旋转双层磷烯同质结的电子结构及各向异性的应力调控
4.5 小结
参考文献
第五章 硒化钨/碘化铬异质结的电子结构性质
5.1 引言
5.2 计算方法
5.3 碘化铬和硒化钨的原子及电子结构
5.4 WSe_2/CrI_3异质结的原子及电子结构
5.5 异质结电子结构性质的电场调控
5.6 异质结谷电子性质的电场调控
5.7 小结
参考文献
第六章 总结与展望
攻读学位期间的研究成果
致谢
【参考文献】:
期刊论文
[1]Devices20and20applications20of20van20der20Waals20heterostructures[J]. Chao Li,Peng Zhou,David Wei Zhang. Journal of Semiconductors. 2017(03)
[2]Van20der20Waals20heterostructure20of20phosphorene20and20hexagonal20boron20nitride:20First-principles20modeling[J]. 张鹏,王静,段香梅. Chinese Physics B. 2016(03)
本文编号:3177282
【文章来源】:兰州大学甘肃省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校
【文章页数】:64 页
【学位级别】:硕士
【文章目录】:
摘要
Abstract
第一章 绪论
1.1 磷烯
1.2 磷烯类结构材料及范德瓦尔斯同质/异质结构
1.3 本文研究内容
参考文献
第二章 密度泛函理论与计算软件
2.1 密度泛函理论
2.2 计算软件SIESTA简介
2.3 计算软件VASP简介
参考文献
第三章 磷烯/氮化硼异质结的电子结构性质
3.1 引言
3.2 计算方法
3.3 磷烯和六角氮化硼的原子及电子结构
3.4 P/h-BN异质结的原子及电子结构
3.5 异质结的载流子迁移率及其相关参数
3.6 小结
参考文献
第四章 旋转双层磷烯同质结的电子结构性质
4.1 引言
4.2 计算方法
4.3 双层磷烯的原子及电子结构
4.4 90°旋转双层磷烯同质结的电子结构及各向异性的应力调控
4.5 小结
参考文献
第五章 硒化钨/碘化铬异质结的电子结构性质
5.1 引言
5.2 计算方法
5.3 碘化铬和硒化钨的原子及电子结构
5.4 WSe_2/CrI_3异质结的原子及电子结构
5.5 异质结电子结构性质的电场调控
5.6 异质结谷电子性质的电场调控
5.7 小结
参考文献
第六章 总结与展望
攻读学位期间的研究成果
致谢
【参考文献】:
期刊论文
[1]Devices20and20applications20of20van20der20Waals20heterostructures[J]. Chao Li,Peng Zhou,David Wei Zhang. Journal of Semiconductors. 2017(03)
[2]Van20der20Waals20heterostructure20of20phosphorene20and20hexagonal20boron20nitride:20First-principles20modeling[J]. 张鹏,王静,段香梅. Chinese Physics B. 2016(03)
本文编号:3177282
本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/wulilw/3177282.html