MC法模拟轫致辐射对屏蔽材料积累因子的影响

发布时间：2021-07-03 12:50

　　在屏蔽设计中,选取可靠的积累因子进行计算是十分重要的,它可以在确保安全的同时,节约屏蔽材料,做到辐射防护最优化。目前,积累因子的标准参考值仅仅考虑了康普顿散射光子的贡献。实际上,γ射线的光电效应和正负电子对效应等物理过程产生的次级电子的轫致辐射同样对积累因子有着重要贡献。由于γ射线能量变化、屏蔽厚度变化或屏蔽材料变化均会影响次级电子韧致辐射对积累因子的贡献,所以研究不同条件下轫致辐射对积累因子的影响程度对屏蔽防护的应用具有现实意义。蒙特卡洛程序MCNP具有各种粒子的截面数据库,能够真实地模拟粒子输运过程中的实际物理过程^[5],且可以利用phys卡在物理过程中进行轫致辐射选择,因此本文用MCNP程序计算:（1）屏蔽厚度为一个自由程、材料为Pb,不同γ射线能量（0.5、1、1.5、2、3、4、5、6、8、10 MeV）下有无轫致辐射时宽束γ射线照射量和窄束γ射线照射量;（2）γ射线能量为10 Me V、屏蔽材料为Pb,不同屏蔽厚度（μd=1、2、4、7、10）下有无轫致辐射时宽束γ射线照射量和窄束γ射线照射量;（3）γ射线能量为10 Me V、屏蔽厚度为一个自由程,γ... 

【文章来源】：吉林大学吉林省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：41 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

光电效应原理示意图

一个 γ 光子冲撞一个电子并只交出它的量变小并且在和初始方向成 θ 角的方向上散射[18] φ 角的方向上散射，如图 2.2。这一过程的发生满具有的动能等于入射光子和散射光子的能量之差。失其能量。应中，光子的波长变化为λ1-λ0= λ=0.0242（1-cosθ）（埃） 别是初始光子和散射光子的波长。从这里我们可不依赖于入射光子的能量。

图 2.3 电子对效应原理示意图中经电离而能量损失殆尽时，会捕捉原子中的一个能量为 0.51 MeV 且运动方向相反的光子，此源。与物质相互作用效应、康普顿散射和正负电子对效应等物理过程过物质时，与物质中的原子核及核外电子发生相的不同，各种相互作用的强度和特征有很大差异式有：非弹性碰撞、轫致辐射和弹性散射[19]。核外电子的非弹性碰撞

【参考文献】：
期刊论文
[1]蒙特卡罗程序EGS4在γ照射量积累因子计算中的应用[J]. 张雷,赵兵,王学新.  辐射防护. 2011(02)
[2]四种蒙特卡罗程序的比较计算[J]. 邱睿,李君利,武祯,曾志.  原子能科学技术. 2008(12)



本文编号：3262614