霍耳效应实验中的对称性破缺研究

发布时间：2021-12-16 04:40

　　迄今为止,半导体材料的导电类型及很多参数的获得,仍需利用霍尔效应实验.然而,在霍尔效应发生的同时,有很多副效应发生,这使得霍尔效应电压的测量值总与其真实值偏离,导致所测量的各种参数也存在一定的偏差.为了消除副效应的影响,常常采用对称测量法,但对称测量法所测量的数据列仍然存在着对称性破缺.该文从载流子运动状态入手,逐步深入分析得出,对称性破缺产生的根源是电场和磁场的共同作用,并发现磁场对于材料对称性的破坏作用大于电场.该文对于半导体材料性能的深入研究,以及其各种功能的开发利用,具有一定的启发作用.

【文章来源】： 大学物理. 2020,39(06)

【文章页数】：5 页

【文章目录】：
1 只有电场没有磁场作用下载流子的运动状态
2 磁场与电场共同作用下载流子的运动状态
3 测量值偏离真实值的原因
4 测量结果不对称的原因
5 结论


【参考文献】：
期刊论文
[1]霍尔效应副效应研究及地磁场水平分量测量 [J]. 许磊,方立青,肖杉,吴波,毛杰键.  大学物理. 2019(08)
[2]霍尔效应实验数据的新应用——提取副效应与螺线管参数 [J]. 牛中明,汪洪,张子云,王章银.  大学物理. 2017(04)
[3]霍尔效应测量磁场实验中副效应的研究 [J]. 孙可芊,李智,廖慧敏,张朝晖.  物理实验. 2016(11)
[4]变温霍尔效应中副效应的研究 [J]. 黄响麟,何琛娟,廖红波,樊洁平,王海燕.  大学物理. 2011(03)
[5]霍耳效应测量磁场实验中的副效应及温度对测量结果的影响 [J]. 李文成,王涌萍.  大学物理. 1995(05)



本文编号：3537501