量子反常霍尔效应研究进展

发布时间：2022-07-29 20:03

　　在没有外加磁场的作用下就能表现出量子化霍尔电导的量子反常霍尔效应已经成为霍尔家族中的重要一员,其物理起源是体能带反转结构和铁磁性相互作用.量子反常霍尔效应最重要的表现是在边缘态处具有无耗散运动的手性电流,这种性质拥有可以改变未来量子电子学的潜力,极大推动器件小型化、低损耗、高速率发展.近年来,基于理论指导,人们在实验上已多次观察到量子反常霍尔效应.在本文中,从实验层面上重点回顾了量子反常霍尔效应在铬（Cr）、钒（V）掺杂的（Bi, Sb）₂Te₃体系的研究进展,以及目前量子反常霍尔效应在其它体系中的研究现状,深入理解量子反常霍尔效应的起源和机理,最后对量子反常霍尔效应进行总结和展望. 

【文章页数】：20 页

【文章目录】：
1 引 言
2 磁原子掺杂拓扑绝缘体材料中实现量子反常霍尔效应
    2.1 Cr掺杂
        2.1.1 实验上首次观察到量子反常霍尔效应
        2.1.2 实验论证量子反常霍尔效应和量子霍尔效应的区别
        2.1.3 电流对量子反常霍尔效应的影响
        2.1.4 克服2D极限在Cr掺杂的(Bi, Sb)2Te3中实现量子反常霍尔效应
        2.1.5 提高Cr掺杂的(Bi, Sb)2Te3的量子反常霍尔效应量子化温度
        2.1.6 调控Cr掺杂的(Bi, Sb)2Te3的陈数
    2.2 V掺杂
        2.2.1 V掺杂的拓扑绝缘体相比于Cr掺杂的优异性
        2.2.2 首次在V掺杂的(Bi, Sb)2Te3中观察到量子反常霍尔效应
        2.2.3 V掺杂的(Bi, Sb)2Te3中的无耗散边缘态和耗散性质
        2.2.4 在V掺杂的(Bi, Sb)2Te3的量子反常霍尔效应中的尺寸行为
        2.2.5 提高V掺杂的(Bi, Sb)2Te3薄膜的量子反常霍尔效应温度
3 本征磁性拓扑绝缘体MnBi2Te4中的量子反常霍尔效应
    3.1 在MnBi2Te4中实现量子反常霍尔效应
    3.2 MnBi2Te4中高陈数的实现
    3.3 在MnBi2Te4/Bi2Te3超晶格中实现量子反常霍尔效应
4 在石墨烯中实现量子反常霍尔效应
5 其他体系中的量子反常霍尔效应
6 总结和展望



本文编号：3667096