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基于垂直腔面发射激光器的湿法氧化速率研究

发布时间:2022-10-19 20:58
  <正>本文主要围绕垂直腔面发射激光器(VCSEL)中的湿法氧化工艺开展研究,通过阅读大量相关文献,了解垂直腔面发射激光器的制造工艺,并通过分析设计湿法氧化工艺参数,实现VCSEL芯片湿法氧化速率精确控制的工艺要求。垂直腔面发射激光器(VCSEL)由于其具有单纵模工作、阈值电流低、圆形光斑易于与光纤耦合、易于集成二维阵列等优势,已经成为光互连,光通信,红外识别,激光显示,激光照明(Tatum J 

【文章页数】:2 页

【部分图文】:

基于垂直腔面发射激光器的湿法氧化速率研究


氧化台面刻蚀形貌图

基于垂直腔面发射激光器的湿法氧化速率研究


氧化深度测量示意图;(b)氧化深度与氧化时间关系曲线

基于垂直腔面发射激光器的湿法氧化速率研究


理论拟合曲线与实际实验数据


本文编号:3694094

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