Ho:Sc 2 SiO 5 可饱和吸收体被动Q开关Tm:YAlO 3 激光器(英文)

发布时间：2024-05-16 20:28

　　报道Ho:Sc₂SiO₅(Ho:SSO)晶体作为一种新型可饱和吸收体用于被动Q开关Tm:YAlO₃(Tm:YAP)固体激光器.在793nm激光二极管端面泵浦下,Ho:SSO被动Q开关Tm:YAP激光器产生稳定的微秒脉冲输出,发射激光波长为1.88μm.实验获得了130mW的最大平均功率和5.2μJ的单脉冲能量输出,脉冲宽度为1.87μs,重复频率为25kHz.通过引入声光调制器,设计搭建了基于Ho:SSO晶体混合调Q的Tm:YAP激光器,有效压缩了脉冲宽度至百纳秒量级.实验获得了最小213ns的脉冲宽度,且在4kHz重复频率下最大单脉冲能量达到34μJ,这项工作表明了新型Ho:SSO晶体作为1.9"m波段可饱和吸收体的实际应用潜力.

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【文章目录】：
0 Introduction
1 Experimental
2 Results and discussion
3 Conclusions



本文编号：3974867