MEMS静电驱动器的场致电子发射效应研究

发布时间：2017-10-18 19:04

  本文关键词：MEMS静电驱动器的场致电子发射效应研究

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【摘要】：为研究MEMS静电驱动器的场电子发射效应,设计并加工了排斥驱动器和平行板驱动器两种不同结构的静电驱动器,实验测试了电极间漏电流随驱动电压的变化关系,验证了其满足场发射效应的FN理论公式,从而首次观察到静电排斥驱动器的场致电子发射效应。根据测试结果计算得到了所设计的两种MEMS静电驱动器的名义发射面积和场增强因子。由于器件自身的结构设计特征,平行板驱动器相对于排斥驱动器具有更大的名义发射面积和更小的场增强因子。
【作者单位】： 中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室;电子科技大学光电信息学院;中国科学院大学;
【关键词】： MEMS 静电驱动器 场致电子发射 场增强因子 名义发射面积 可靠性
【基金】：国家自然科学基金项目(11403029,61071027) 国家自然科学基金委员会-中国工程物理研究院NSAF联合基金项目(11176033)
【分类号】：TH703
【正文快照】： 0引言微机电系统(micro-electro-mechanical-systems,MEMS)静电驱动器具有结构简单、功耗低、响应快和零滞后等特点[1-2],可应用于射频MEMS、光MEMS领域,如可变电容、光开关等[3-4]。MEMS静电驱动器的失效机理和可靠性对它的广泛应用和商品化有极大影响,因而一直是学术界和工

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本文编号：1056606