硼掺杂硅翘曲对微加速度计灵敏度的影响

发布时间：2017-12-05 03:03

  本文关键词：硼掺杂硅翘曲对微加速度计灵敏度的影响

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【摘要】：研究了硼掺杂引起的结构翘曲量对微加速度计性能的影响,获取指导微加速度计设计更为准确的物理模型。通过解析计算,结合有限元仿真及实验等方法,研究了不同硼扩散深度对微加速度计灵敏度的影响,得出了不同掺杂状态下微加速度计灵敏度与结构翘曲量之间的关系表达式。理论分析与测试结果表明,考虑翘曲变形的微加速度计的灵敏度比无翘曲时的微加速度计灵敏度减小了约5 m V/g,而当硼扩散深度从90μm变化到120μm时,灵敏度变化量约为2 m V/g。硼掺杂引起的翘曲变形使微加速度计的灵敏度降低,且随着扩散深度增加,灵敏度增大。
【作者单位】： 电子科技大学机械电子工程学院;中国工程物理研究院电子工程研究所;
【基金】：国家自然科学基金(U1530132,51505068,51575090) 中央高校基本科研业务费专项资金(ZYGX2015J085,ZYGX2014Z004)
【分类号】：TP212;TH824.4
【正文快照】： 硅微电容式加速度计是将敏感方向上的加速度输入转化为电容输出的微惯性传感器。相对于传统的惯性传感器,硅微电容式加速度计具有小型化、低成本、低功耗、高性能等优点[1]。随着MEMS(micro-electro-mechanical systems)技术的不断发展成熟,微加速度计的应用开始从中低端领域

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1 刘晓e，

本文编号：1253309