论文综述怎么写_忆阻及其应用研究综述_发表

  本文关键词：忆阻及其应用研究综述，由笔耕文化传播整理发布。

第39卷第8期2013年8月

自动化学报

ACTAAUTOMATICASINICA

Vol.39,No.8August,2013

忆阻及其应用研究综述

王小平1,2

沈轶1,2

吴计生1,2

孙军伟1,2

李薇1,2

摘要忆阻由蔡少棠教授从对称性角度预言提出,自惠普实验室2008年制作出第一款忆阻开始,其已成为自动化等相关领域最热门研究方向之一.本文回顾了忆阻的起源,探讨了忆阻的分类及其制造技术,分析了忆阻的多个数学模型和仿真模型以及仿真模型的实现方法,总结了忆阻在人工神经网络、保密通信、存储器、模拟电路、人工智能计算机、生物行为模拟等方面的研究现状,并对其应用前景进行展望.关键词引用格式DOI

忆阻,数学模型,仿真模型,存储器

王小平,沈轶,吴计生,孙军伟,李薇.忆阻及其应用研究综述.自动化学报,2013,39(8):1170 118410.3724/SP.J.1004.2013.01170

ReviewonMemristorandItsApplications

WANGXiao-Ping1,2

SHENYi1,2

WUJi-Sheng1,2

SUNJun-Wei1,2

LIWei1,2

AbstractSincememristorwaspredictedbyChuaLOfromsymmetryargumentsandproducedatHPlaboratoryin2008,ithasbecomeoneofthemostpopularresearchdirectionsintherelated eldsofautomation.Inthispaper,theoriginofthememristorisinvestigated,thememristorclassi cationanditsmanufacturingtechnologyaredescribed,thenthemultiplemathematicalmodels,simulationmodelsandtheirimplementationmethodsofmemristorareanalyzed.Finally,theresearchsituationandapplicationprospectsonarti cialneuralnetwork,con dentialcommunications,memory,analogcircuit,arti cialintelligencecomputer,andbiologicalbehaviorsimulationarediscussed.Keywords

Memristor,mathematicalmodel,simulationmodel,memory

CitationWangXiao-Ping,ShenYi,WuJi-Sheng,SunJun-Wei,LiWei.Reviewonmemristoranditsapplications.ActaAutomaticaSinica,2013,39(8):1170 1184

忆阻(Memristor)是美国加利福尼亚大学伯克利分校的科学家蔡少堂于1971年提出的,蔡少堂教授从对称性角度预言提出,除电容、电感和电阻外,电子电路还应存在第四种基本元件—忆阻[1].蔡少棠指出,电压v、电流i、电荷q和磁通量 ,这4个基本电路变量之间应该存在六种数学关系:电流定

q

;电压是磁通量义为电荷关于时间的变化率i=ddt

关于时间的变化率v=d;电阻定义为电压随着电dt

dv

流的变化率R=di;电容定义为电荷随着电压的变

dq

;电感定义为磁通量随着电流的变化率化率C=d

L=;还有一个问题是缺少了一种能够将电荷q

录用日期2013-06-06

ManuscriptreceivedDecember31,2012;acceptedJune6,2013国家自然科学基金(61134012,11271146),中央高校基本科研业务费(HUST:2013TS126),武汉市科技计划(2013010501010117)资助SupportedbyNationalNaturalScienceFoundationofChina(61134012,11271146),theFundamentalResearchFundsfortheCentralUniversities(HUST:2013TS126),andWuhanScienceandTechnologyPlan(2013010501010117)本文责任编委张化光收稿日期2012-12-31

与磁通量 关联起来的电路元件,而这种元件即由电荷q和磁通量 之间的关系来定义(见图

1).

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图1四个基本二端电路元件关系图Fig.1Thefourfundamentaltwo-terminal

circuitelements

美国惠普实验室的Strukov和其同事在进行极小型电路实验时制造出忆阻的实物[2 3],其成果发表

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