隧穿磁电阻效应磁场传感器中低频噪声的测量与研究

发布时间：2017-06-05 11:17

  本文关键词：隧穿磁电阻效应磁场传感器中低频噪声的测量与研究，由笔耕文化传播整理发布。

【摘要】：基于隧穿磁电阻效应(TMR)的磁场传感器具有很高的磁场灵敏度,但同时噪声也较大,有效抑制TMR磁场传感器的噪声,尤其是低频噪声的抑制对于其在高灵敏度要求场合的应用具有重要的意义.本文采用高精度数据采集卡搭建了噪声测量系统,测量了全桥结构TMR磁场传感器的噪声频谱图,发现TMR传感器的噪声在低频段表现为1/f特性,同时噪声功率谱密度与工作电流平方成正比关系;低频噪声在自由层翻转区间内噪声急剧增大,证明了1/f噪声主要来源于磁噪声,这一结果为TMR磁场传感器的噪声特性优化指明了方向.
【作者单位】： 兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室;无锡乐尔科技有限公司;
【关键词】： 隧穿磁电阻效应 磁场传感器 低频噪声
【基金】：国家自然科学基金(批准号:61102002,51371101)资助的课题~~
【分类号】：TP212
【正文快照】： 1 引言 基于隧穿磁电阻效应(TMR) 的磁性隧道结(MTJ)由于其高的磁场灵敏度, 已经被广泛应用在硬盘读出磁头中, 并且在未来各种各样的磁性传感器中有很好的应用前景 [1?3]. 对于磁性传感器来说, 其最小磁场分辨率不仅仅决定于其磁场灵敏度, 还取决于器件的噪声 [4], 尤其是对

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本文编号：423614