荧光分析技术在作物响应镉胁迫研究中的应用

发布时间：2024-03-09 15:58

　　为了揭示荧光分析技术在作物响应镉胁迫研究中的应用,以大豆幼苗为材料,对镉胁迫条件下叶片镉离子含量、叶绿素荧光参数、及荧光光响应曲线的变化进行了分析,并进一步探讨了叶绿素荧光参数与叶片镉离子含量的关系。结果表明:在试验过程中,伴随着镉胁迫时间的延长,叶片镉离子含量呈现出逐步升高的趋势,并在镉胁迫9 d后达到最大值。镉胁迫1 d后,大豆幼苗PSⅡ反应中心能够通过升高NPQ、降低Ф_PSⅡ与ETR来耗散过量激发能,避免能量过激发对它的生理伤害,进而维持F_v/F_m的稳定。这表明此时的镉胁迫对大豆造成了动态光抑制。镉胁迫6 d后,虽然NPQ继续升高,但光保护机制已不足以避免能量过激发造成的生理伤害,大豆幼苗F_v/F_m呈现出降低趋势。这表明此时大豆幼苗受到了慢光抑制的影响。进一步对叶绿素荧光参数与叶片镉离子含量进行相关及回归分析发现:F_v/F_m与镉离子含量呈非线性相关(R²=0.842,p<0.01),Φ_PSⅡ...

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【文章目录】：
引 言
1 实验部分
    1.1 试验设计
    1.2 观测项目和方法
        1.2.1 叶绿素荧光参数采集
        1.2.2 叶片镉含量测定
2 结果与讨论
    2.1 镉离子含量变化
    2.2 镉胁迫下叶绿素荧光参数变化
    2.3 叶绿素荧光分析
    2.4 镉胁迫下荧光光响应曲线变化
3 结 论



本文编号：3923591