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261. 基于模块导通电阻的碳化硅MOSFET键合线健康状态评估方法
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262. 基于碳化硅MOSFET的99.2%高效率功率因数校正器
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263. 基于SiC MOSFET的移相全桥变换器研究及其可靠性分析
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264. 半解析法和半经验法在SOI和MOSFET建模中的研究
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265. MOSFET中近零介电常数的产生和表面等离激元模式特性
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266. 低压直流固态断路器用SiC MOSFET温度特性及快速可靠关断技术研究
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267. NiSiGe金属源漏组分对肖特基势垒Ge MOSFET电学性能的影响
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268. 1200V碳化硅MOSFET在智能电网电力电子设备中的应用特性研究
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269. 高k栅介质SOI应变硅肖特基源漏MOSFET漏致势垒降低效应研究
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270. 中国电科13所成功研制出1200 V/20 A SiC MOSFET芯片
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