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351. 高压4H-Si
C
BJT功率器件特性研究
352. 基于SPI
C
E模型的Si
C
MOSFET静动态特性分析
353. 高热导率Si
C
陶瓷材料制备及应用研究
354. 一种基于SI
C
的NOMA下行链路信号检测方法
355. 改性超细Si
C
粉体对球墨铸铁低温韧性的影响
356. 4H-Si
C
JBS沟槽结构的仿真研究
357. 平面Si
C
陶瓷切槽--推磨加工技术可行性研究
358. Si
C
基反向开关晶体管RSD关键工艺概述
359. 基于P
C
B罗氏线圈的Si
C
MOSFET短路保护研究
360. 基于6H-Si
C
单晶的PiN器件研制
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