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421. 等离子体增强技术在镀铜玻璃衬底上低温制备GaN薄膜
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422. 垂直结构GaN基LED薄膜芯片静电失效演变的表征与研究
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423. 电流增益截止频率为236 GHz的InAlN/GaN高频HEMT
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424. Qorvo发布用于高级雷达系统的紧凑型GaN功率放大器
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425. GaN基LED及ZnO纳米线阵列的制备和特性研究
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426. 纳米柱高度对GaN基绿光LED光致发光谱的影响
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427. 不同封装材料的中功率GaN基LED器件老化分析（英文）
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428. SiC衬底上GaN基蓝光LED的MOCVD外延生长研究
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429. 金属有机物化学气相沉积同质外延GaN薄膜表面形貌的改善
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430. GaN高电子迁移率晶体管强电磁脉冲损伤效应与机理
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