漂移管直线加速器调场技术研究
【图文】:
图 1.1 加速腔体结构示意图[1]对于入口能量为 3MeV,出口能量为 13MeV 的质子加速器,其粒子速度较低。在加速腔的始端,通常选用较低的单元平均电场 E0,这是因为前几个电源加速间隙短导致前几个单元击穿电场阈值低。而加速间隙随着粒子能量增加而增加,击穿阈值随单元数增加而提高,后面的单元可以提高场强。这种粒子初始能量比较低的加速腔,轴上电场随轴位置分布可以设计成有一定的上升率。CPHS 的 DTL轴向单元峰值电场设计为线性上升分布,其轴上平均电场分布如图 1.2 所示。
图 1.1 加速腔体结构示意图[1]对于入口能量为 3MeV,出口能量为 13MeV 的质子加速器,其粒子速度较加速腔的始端,,通常选用较低的单元平均电场 E0,这是因为前几个电源加速短导致前几个单元击穿电场阈值低。而加速间隙随着粒子能量增加而增加,阈值随单元数增加而提高,后面的单元可以提高场强。这种粒子初始能量比的加速腔,轴上电场随轴位置分布可以设计成有一定的上升率。CPHS 的 D向单元峰值电场设计为线性上升分布,其轴上平均电场分布如图 1.2 所示。
【学位授予单位】:清华大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2016
【分类号】:TL53
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本文编号:2710248
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