SDD低能区的效率刻度及能谱模拟

发布时间：2021-03-04 21:49

　　硅漂移（SDD）探测器是一种基于侧向耗尽原理的核辐射探测器。这种探测器因为比一般Si（Li）探测器输出电容小、电子噪声小、且只要简单的半导体制冷就能达到需要采用液氮制冷的Si（Li）探测器的能量分辨率等优点,使得其在能谱的定量分析、医学成像、空间探测等领域中有着重要应用。而探测效率是SDD探测器重要的技术指标之一,探测器的尺寸参数不同、实验样品与探测器的几何位置的差异,都会造成探测效率不同。因此,对探测器效率刻度的研究具有重要的实际意义。本论文以德国KETEK公司生产的VITUS H80型大探头SDD探测器为研究对象,进行以下工作:1.分别采用相对效率刻度法、理论模型计算法及无源刻度法对SDD探测器低能区进行效率刻度。其中,相对效率刻度法是通过SDD探测器收集到的19 keV电子碰撞纯厚碳靶产生的实验轫致辐射谱与PENELOPE模拟得到相应的理论轫致辐射谱的比值,获取相对效率刻度曲线,然后采用241Am标准放射源确定效率刻度曲线的绝对值;理论模型计算法是基于理论模型计算公式;无源刻度法是采用PENELOPE程序对SDD探测器的几何结构进行建模,并保持模拟的初始条件与实验一致,对探测效率... 

【文章来源】：华北电力大学(北京)北京市 211工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：60 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

硅漂移探测器的剖面结构图

ＶＩＴＵＳ?Ｈ８０型硅漂移探测器的简易结构图如图２－３所示。ＳＤＤ在使用前，需要??在计算机上安装驱动程序和多道分析器软件，然后将ＳＤＤ的探头部分（Ｍｌ）与主??部分（Ｍ２）之问用两根电缆连接好，将电源插头插在交流电源插座上并将ＳＤＤ探??器上面的电源幵关置于“开”的位置，预热３－５分钟，然后利用ＵＳＢ电缆连接ＳＤＤ??计算机，最／Ｔ；启动多道分析器软件进行测量。能谱仪插上电源后至少需要３分钟??能正常工作，拔掉电源插头以后探测器回暖也需要３分钟左右，所以切忌短时间??连续开关电源。此外，因为ＳＤＤ探测器的铍窗很薄、很脆，所以在使用过程中要??别注意铍窗的防护。??主机部分??Ｍ２?Ｌ?Ｊ??保头部分????ｍｉ?同轴ｕｓｅ??Ｃ〇ａＸ」??１浐算机??￣＾￣

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本文编号：3063979