Ca 2 GdZr 2 Al 3 O 12 基荧光粉的合成及发光性能研究

发布时间：2021-05-18 18:29

　　Ca₂GdZr₂Al₃O₁₂（CGZA）是属于石榴石结构的铝酸盐化合物,化学性质比较稳定,并且具有多个可供激活离子掺杂的点位,是研究白光LED用荧光粉较为理想的基质材料,大部分的传统荧光粉含有N或S两种元素,需要在苛刻的条件下（高温、高压）合成,而有些含F荧光粉的合成过程会对环境造成污染,氧化物类的荧光粉则可以避免这些缺点,因而成为现在的研究热点。本文以 CGZA氧化物作为主要基质,通过掺杂各种激活离子(Mn⁴⁺、Bi³⁺、Tb³⁺、Sm³⁺、Eu³⁺)和改变基质组成,研究荧光粉的发光性能。主要研究内容如下:（1）通过高温固相法合成Ca₂GdZr₂Al₃O₁₂:Mn⁴⁺荧光粉。基质结构分析表明,Mn⁴⁺可以取代Zr⁴⁺而位于八面体点位,可以... 

【文章来源】：南宁师范大学广西壮族自治区

【文章页数】：73 页

【学位级别】：硕士

【文章目录】：
摘要
Abstract
第一章 绪论
    1.1 白光LED
    1.2 白光LED用荧光粉
        1.2.1 白光LED用蓝色荧光粉
        1.2.2 白光LED用绿色荧光粉
        1.2.3 白光LED用红色荧光粉
    1.3 发光材料与发光机理
        1.3.1 发光材料的组成
        1.3.2 发光机理
    1.4 荧光粉的合成方法
    1.5 各种盐类荧光粉的研究
    1.6 本课题的研究内容与意义
    参考文献
第二章 实验与表征方法
    2.1 实验试剂
    2.2 实验仪器
    2.3 样品的测试与表征
        2.3.1 XRD测试分析
        2.3.2 漫反射分析
        2.3.3 荧光光谱分析
        2.3.4 热分析
        2.3.5 电镜分析
        2.3.6 EDS能谱分析
        2.3.7 荧光寿命测试
        2.3.8 CIE色度坐标分析
    参考文献
第三章 Ca_2REZr_2Al_3O_(12):Mn~(4+),Bi~(3+)(RE=Gd,Y)荧光粉的合成及性能研究
    3.1 引言
    3.2 实验部分
    3.3 结果与讨论
        3.3.1 Ca_2GdZr_2Al_3O_(12):x Mn~(4+)荧光粉的结构与性能分析
        3.3.2 Ca_2GdZr_2Al_3O_(12):x Mn~(4+) ,yBi~(3+)的能量传递
        3.3.3 Ca_2YZr_2Al_3O_(12):xMn~(4+),yBi~(3+) ,zGd~(3+)荧光粉的性能
    3.4 本章小结
    参考文献
第四章 溶胶凝胶法和高温固相法合成Ca_2GdZr_2Al_3O_(12):xEu3+,~(3+)荧光粉
    4.1 引言
    4.2 实验部分
    4.3 结果与讨论
        4.3.1 两种方法合成Ca_2GdZr_2Al_3O_(12):x Eu~(3+)荧光粉的结构和性能比较
        4.3.2 两种方法合成Ca_2GdZr_2Al_3O_(12):x Eu~(3+),yBi~(3+)荧光粉的性能
    4.4 本章小结
    参考文献
第五章 Ca_2GdZr_2Al_3O_(12) :M(M=Tb~(3+),Sm~(3+),Bi~(3+))荧光粉的性能研究
    5.1 引言
    5.2 实验部分
    5.3 结果与讨论
        5.3.1 Ca_2GdZr_2Al_3O_(12): xTb~(3+) ,yEu~(3+)共掺荧光粉的性能研究
        5.3.2 Ca_2GdZr_2Al_3O_(12):xBi~(3+),ySm~(3+)共掺荧光粉的性能研究
        5.3.3 Ca_2GdZr_2Al_3O_(12):xTb~(3+),ySm~(3+)共掺荧光粉的性能研究
    5.4 小结
    参考文献
攻读硕士期间取得的研究成果
致谢


【参考文献】：
期刊论文
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[3]低色温高显色性白光LED制备及其性能的研究[J]. 范供齐,张瑞西,施丰华,徐文飞,王海波.  中国照明电器. 2011(10)
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博士论文
[1]InGaAs/GaAsP量子阱界面结构及其激光器件性能研究[D]. 董海亮.太原理工大学 2016
[2]稀土离子掺杂发光玻璃的制备与性能研究[D]. 朱立刚.中南大学 2012
[3]稀土有机发光材料制备及性能的研究[D]. 吕玉光.北京化工大学 2007

硕士论文
[1]980nmlnGaAs/GaAsP半导体激光器材料结构设计与外延生长[D]. 刘洋.长春理工大学 2014



本文编号：3194281