高导热绝缘环氧塑封料的制备
发布时间：2021-06-22 11:42
电子、电气、集成电路等领域不断向“高速度、高密度、低功耗以及低成本”的方向发展,需要环氧塑封料具备高导热、高绝缘等性能。本文从环氧塑封料基材配方、导热粉体表面处理、导热粉体选择与复配等方面开展研究,期望制备导热系数达到2.5W/（m·K）以上、绝缘与加工性能良好的环氧塑封料,主要研究内容如下:（1）环氧塑封料基材配方。邻甲酚醛环氧树脂（NPCN-702）、联苯环氧树脂（BNPE-3501LL）、双酚A型环氧树脂（E-12）为环氧基材,线型酚醛2123、线型酚醛2402树脂为固化剂,2,4,6-三（二甲胺基甲基）苯酚（DMP-30）、2-甲基咪唑（2-MZ）为固化促进剂,研究它们的相互固化关系。结果发现邻甲酚醛环氧树脂、线型酚醛树脂2402、DMP-30固化促进剂为合适的原料组合,环氧树脂环氧值与固化剂羟值的摩尔比为1:0.8,DMP-30的质量分数为0.5wt%。（2）导热填料表面处理。采用γ-氨丙基三乙氧基硅烷（KH550）、γ-（2,3-环氧丙氧）丙基三甲氧基硅烷（KH560）对粉体进行表面处理,考察硅烷偶联剂种类、用量对表面改性的影响。红外光谱（FTIR）、热失重（TG）结果表明...
【文章来源】：合肥工业大学安徽省 211工程院校 教育部直属院校
【文章页数】：62 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
粉体的SEM图
第三章结果与讨论31图3.20样品的SEM图(a)Al2O3,(b)Al2O3/球形SiO2复配Figure3.20SEMofsamples(a)Al2O3,(b)Al2O3/sphericalSiO2图3.21Al2O3、Al2O3/球形SiO2复配塑封料的模型图Figure3.21ModelofAl2O3、Al2O3/sphericalSiO2ofepoxymoldingcompoundAl2O3/球形SiO2复配对环氧塑封料绝缘性能的影响如图3.22所示。随着球形SiO2含量的增加体积电阻率、击穿电压强度越来越大，这是因为球形SiO2是一种高绝缘填料，复合材料的绝缘性会有所增强，在填充量为10%wt时，体积电阻率达到了2.1×1014Ω·cm，击穿电压强度达到了27.4kV/mm，在击穿时SiO2能抑制电树枝的形成，使击穿电压强度增加。
第三章结果与讨论31图3.20样品的SEM图(a)Al2O3,(b)Al2O3/球形SiO2复配Figure3.20SEMofsamples(a)Al2O3,(b)Al2O3/sphericalSiO2图3.21Al2O3、Al2O3/球形SiO2复配塑封料的模型图Figure3.21ModelofAl2O3、Al2O3/sphericalSiO2ofepoxymoldingcompoundAl2O3/球形SiO2复配对环氧塑封料绝缘性能的影响如图3.22所示。随着球形SiO2含量的增加体积电阻率、击穿电压强度越来越大，这是因为球形SiO2是一种高绝缘填料，复合材料的绝缘性会有所增强，在填充量为10%wt时，体积电阻率达到了2.1×1014Ω·cm，击穿电压强度达到了27.4kV/mm，在击穿时SiO2能抑制电树枝的形成，使击穿电压强度增加。
【参考文献】：
期刊论文
[1]液体环氧底填料制备及球型二氧化硅对其性能影响[J]. 鲁猷栾,陈晶晶,陈泇冰,郑寅,吴称意,宋新建,石震. 热固性树脂. 2019(06)
[2]电子封装用环氧树脂基复合材料研究进展[J]. 张超,白瑞钦,马勇,韩永芹,李廷希. 工程塑料应用. 2019(10)
[3]电子封装陶瓷基板[J]. 程浩,陈明祥,罗小兵,彭洋,刘松坡. 现代技术陶瓷. 2019(04)
[4]环氧树脂中温潜伏型固化剂研究进展[J]. 赵玉春,刘浩,李智慧,刘文涛,黄淼铭,何素芹,朱诚身. 热固性树脂. 2019(04)
[5]微电子封装热沉材料研究进展[J]. 杨义兵,韩蕊蕊. 真空电子技术. 2019(02)
[6]用于双氰胺环氧树脂固化体系促进剂的研究[J]. 程秀莲,贾秀红,霸书红. 粘接. 2019(02)
[7]六咪唑环三磷腈的合成及其作为环氧树脂固化促进剂的性能[J]. 张博文,唐禹尧,崔玉青,魏玮,李小杰,罗静,刘晓亚. 材料工程. 2019(01)
[8]邻甲酚醛环氧树脂的合成及固化反应研究[J]. 张源源,吴国浩,吴嘉兴,杨世刚,童志伟. 山东化工. 2018(22)
[9]磁随机存取存储器MRAM专利技术分析[J]. 严逸飞. 电子世界. 2018(07)
[10]电子封装材料的研究与应用[J]. 张文毓. 上海电气技术. 2017(02)
硕士论文
[1]耐高温杂萘联苯环氧胶粘剂及其纳米改性研究[D]. 栾国栋.大连理工大学 2011
本文编号：3242775
【文章来源】：合肥工业大学安徽省 211工程院校 教育部直属院校
【文章页数】：62 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
粉体的SEM图
第三章结果与讨论31图3.20样品的SEM图(a)Al2O3,(b)Al2O3/球形SiO2复配Figure3.20SEMofsamples(a)Al2O3,(b)Al2O3/sphericalSiO2图3.21Al2O3、Al2O3/球形SiO2复配塑封料的模型图Figure3.21ModelofAl2O3、Al2O3/sphericalSiO2ofepoxymoldingcompoundAl2O3/球形SiO2复配对环氧塑封料绝缘性能的影响如图3.22所示。随着球形SiO2含量的增加体积电阻率、击穿电压强度越来越大，这是因为球形SiO2是一种高绝缘填料，复合材料的绝缘性会有所增强，在填充量为10%wt时，体积电阻率达到了2.1×1014Ω·cm，击穿电压强度达到了27.4kV/mm，在击穿时SiO2能抑制电树枝的形成，使击穿电压强度增加。
第三章结果与讨论31图3.20样品的SEM图(a)Al2O3,(b)Al2O3/球形SiO2复配Figure3.20SEMofsamples(a)Al2O3,(b)Al2O3/sphericalSiO2图3.21Al2O3、Al2O3/球形SiO2复配塑封料的模型图Figure3.21ModelofAl2O3、Al2O3/sphericalSiO2ofepoxymoldingcompoundAl2O3/球形SiO2复配对环氧塑封料绝缘性能的影响如图3.22所示。随着球形SiO2含量的增加体积电阻率、击穿电压强度越来越大，这是因为球形SiO2是一种高绝缘填料，复合材料的绝缘性会有所增强，在填充量为10%wt时，体积电阻率达到了2.1×1014Ω·cm，击穿电压强度达到了27.4kV/mm，在击穿时SiO2能抑制电树枝的形成，使击穿电压强度增加。
【参考文献】：
期刊论文
[1]液体环氧底填料制备及球型二氧化硅对其性能影响[J]. 鲁猷栾,陈晶晶,陈泇冰,郑寅,吴称意,宋新建,石震. 热固性树脂. 2019(06)
[2]电子封装用环氧树脂基复合材料研究进展[J]. 张超,白瑞钦,马勇,韩永芹,李廷希. 工程塑料应用. 2019(10)
[3]电子封装陶瓷基板[J]. 程浩,陈明祥,罗小兵,彭洋,刘松坡. 现代技术陶瓷. 2019(04)
[4]环氧树脂中温潜伏型固化剂研究进展[J]. 赵玉春,刘浩,李智慧,刘文涛,黄淼铭,何素芹,朱诚身. 热固性树脂. 2019(04)
[5]微电子封装热沉材料研究进展[J]. 杨义兵,韩蕊蕊. 真空电子技术. 2019(02)
[6]用于双氰胺环氧树脂固化体系促进剂的研究[J]. 程秀莲,贾秀红,霸书红. 粘接. 2019(02)
[7]六咪唑环三磷腈的合成及其作为环氧树脂固化促进剂的性能[J]. 张博文,唐禹尧,崔玉青,魏玮,李小杰,罗静,刘晓亚. 材料工程. 2019(01)
[8]邻甲酚醛环氧树脂的合成及固化反应研究[J]. 张源源,吴国浩,吴嘉兴,杨世刚,童志伟. 山东化工. 2018(22)
[9]磁随机存取存储器MRAM专利技术分析[J]. 严逸飞. 电子世界. 2018(07)
[10]电子封装材料的研究与应用[J]. 张文毓. 上海电气技术. 2017(02)
硕士论文
[1]耐高温杂萘联苯环氧胶粘剂及其纳米改性研究[D]. 栾国栋.大连理工大学 2011
本文编号：3242775
本文链接：https://www.wllwen.com/projectlw/hxgylw/3242775.html
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