NAND Flash存储数据逻辑销毁技术研究

发布时间：2023-05-30 22:09

　　NAND Flash存储数据残留会导致严重的数据安全问题，存储数据逻辑销毁技术成为了重要研究内容。覆写是数据销毁的重要方法之一，覆写内容和次数的选取依据值得探索，特别是选择最佳的覆写序列和最少的覆写次数，对NAND Flash存储数据应急销毁是非常重要的。本文分析了NAND Flash存储数据攻击模型，探索逻辑销毁安全与覆写序列和次数的关系，重点研究了基于覆写和跳变总数的NAND Flash存储数据逻辑销毁技术。 1．分析了NAND Flash的存储原理和特性、NAND Flash存储数据的逻辑销毁方法和主要的NAND Flash存储数据逻辑销毁标准。 2．从攻击者的角度分析NAND Flash存储数据攻击条件与目标，研究提出了基于覆写和跳变总数的NAND Flash存储数据恢复概率模型，详细地分析了恢复概率曲线特征，以及恢复概率与销毁覆写序列和覆写次数的关系，给出了安全销毁区间的概念，对研究NAND Flash逻辑销毁技术具有理论指导意义。 3．设计了一种基于密文保护的NAND Flash型密码载体应急逻辑销毁方案。该方案由数据加密机制和NAND Flash存储数据应急逻辑销毁算法两...

【文章页数】：76 页

【学位级别】：硕士

【文章目录】：
摘要
Abstract
第一章 绪论
    1.1 研究背景及意义
    1.2 研究现状
        1.2.1 国外研究现状
        1.2.2 国内研究现状
    1.3 主要研究内容
    1.4 本文的组织结构
第二章 NAND Flash 存储数据逻辑销毁方法
    2.1 NAND Flash 存储原理与特性
        2.1.1 NAND Flash 存储原理
        2.1.2 NAND Flash 芯片存储结构及特性
    2.2 NAND Flash 存储数据逻辑销毁方法
        2.2.1 页覆写与块删除方法
        2.2.2 基于密文保护的方法
    2.3 NAND Flash 存储数据逻辑销毁标准
    2.4 本章小结
第三章 NAND Flash 存储数据恢复概率模型研究
    3.1 NAND Flash 存储数据攻击条件与目标
        3.1.1 攻击条件
        3.1.2 攻击目标
    3.2 基于覆写和跳变总数的 NAND Flash 存储数据恢复概率模型
        3.2.1 恢复概率模型形式化定义
        3.2.2 跳变次数与恢复概率的关系
        3.2.3 攻击时刻与恢复概率的关系
        3.2.4 跳变次数和攻击时刻与恢复概率的关系
    3.3 NAND Flash 存储数据恢复概率模型分析
        3.3.1 恢复概率的曲线特征
        3.3.2 恢复概率差分析
        3.3.3 安全销毁区间分析
        3.3.4 覆写序列与覆写次数选取总结
        3.3.5 敏感信息序列恢复概率分析
    3.4 本章小结
第四章 基于密文保护的 NAND Flash 应急逻辑销毁方案设计
    4.1 设计思想
    4.2 应急逻辑销毁方案
        4.2.1 应急逻辑销毁方案结构
        4.2.2 数据加密机制
        4.2.3 逻辑销毁算法
    4.3 方案分析
        4.3.1 时间开销分析
        4.3.2 安全性分析
    4.4 本章小结
第五章 具有逻辑销毁功能的 NAND Flash 控制器设计
    5.1 具有逻辑销毁功能的 NAND Flash 控制器的设计
        5.1.1 控制器结构设计
        5.1.2 主控逻辑模块设计
        5.1.3 加解密模块设计
        5.1.4 逻辑销毁模块设计
    5.2 仿真验证与性能分析
        5.2.1 密钥保护仿真
        5.2.2 数据加解密模块仿真
        5.2.3 加解密数据读写操作仿真
        5.2.4 逻辑销毁功能仿真
        5.2.5 系统的性能分析
    5.3 本章小结
第六章 总结与展望
    6.1 主要工作总结
    6.2 下一步工作展望
致谢
参考文献
作者简历



本文编号：3825127