CH 3 NH 3 Pb（Br/Cl） 3 和Cs 3 Cu 2 l 5 蓝光钙钛矿的制备与性能研究
发布时间：2021-01-01 06:08
钙钛矿材料因其载流子扩散距离长、发光效率高、发光光谱可调、缺陷容忍度高和可溶液加工等特点,在太阳能电池、显示、发光二极管和探测器等领域具有广阔的应用前景。特别是在显示和发光二极管应用上,钙钛矿材料的高荧光量子产率和发光峰窄的特性,打开了广色域显示的大门,然而相比于绿光和红光发射的钙钛矿材料,蓝光发射的钙钛矿发展缓慢,荧光量子产率不高。因此提高蓝光钙钛矿的发光效率和稳定性,解决铅毒性的问题,对进一步提升色域以及开发电致发光白光显示起到关键性的作用。本文瞄准这一前沿研究方向,利用等离子体共振增强了高度稳定的蓝光铅卤钙钛矿的发光,以及制备了稳定的,非铅的蓝光钙钛矿新材料和电致发光二极管器件,具体内容如下:1.采用与工业生产契合的静电纺丝法,原位制备了聚合物包裹的铅卤钙钛矿量子点纺丝膜。根据前驱体中卤素比例的调节,可以在蓝光-绿光范围内调节发光。所得的小尺寸（3.4nm）的钙钛矿量子点均匀分布在聚合物中,没有外露。因此在聚合物的保护下,钙钛矿量子点的稳定性有了巨大提升。另一方面,通过控制反应时间,制备了均匀尺寸的银纳米粒子,其共振吸收峰与钙钛矿的发射峰匹配良好。进而采用静电纺丝法,将制备的聚合...
【文章来源】：中央民族大学北京市 211工程院校 985工程院校
【文章页数】：79 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
图１－３乳液法（ａ）和热注入法（ｂ）合成ＰＱＤｓ的原理图丨１０’１５】，（ｃ）通过热注入法合成的ＣｓＰｂＢｒ３??ＰＱＤｓ的透射电镜照片丨１２】??Ｆｉｇ．?１－３?Ｓｃｈｅｍａｔｉｃａｌ?ｉｌｌｕｓｔｒａｔｉｏｎ?ｏｆ?ｔｈｅ?ＰＱＤ?ｅｍｕｌｓｉｏｎ?ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ?（ａ）?ａｎｄ?ｈｏｔ－ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ?ｐｒｏｃｅｄｕｒｅ?（ｂ）．１１０＇１５］??（ｃ）?Ｔｙｐｉｃａｌ?ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ?ｅｌｅｃｔｒｏｎ?ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ?ｉｍａｇｅｓ?ｏｆ?ＣｓＰ?
斯托克斯位移小：斯托克斯位移的值与再吸收效应有关，再吸收效应是发光的自我??淬灭，这会严重降低量子点的ＰＬＱＹ。传统的镉量子点中，斯托克斯位移平均测量值为??４０?ｍｅＶ。最近，Ｂｒｅｎｎａｎ等人报道了在ＣｓＰｂＢｒ３量子点中斯托克斯位移与尺寸的依赖性，??研究显示，ＣｓＰｂＢｒ３ＱＤｓ的斯托克斯位移范围为１００－３０ｍｅＶ，边缘长度在４－１２ｎｍ之间，??图１－４?（ｃ）说明了斯托克斯位移与边缘长度的关系，并且尺寸较大的ＰＱＤｓ表现出较低??的?ＰＬＱＹ［２３］。??（ａ）?（ｃ）????／?ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ????？．ｃｓ?＿??＾?＾—、、?一＾＝；＞??｜ｉ?ｊ?：：：：：：：：：：：：：?ｉ?＝－?Ｉ?Ｓ?？?＼?■■?Ｅ??ｇ?ｄｅｅｐａｎｄ＇ｏｒ?’?：?Ｓｔｏｋｅｓ?ｃ??＜Ｄ?ｉ?ｓｈａｌｌｏｗ?ｓｔａｔｅｓ／?ｏ?Ｓｈｉｆｔ?／?７?＼?ｊ?￡?ｏ?％?２??＝／?｜?／?Ａ?ｖｙ｜?｝?＼??ｂａｎｄ?１?二?ｑ?／?＼?＾??ｄｅｆｅｃｔ－?ｄｅｆｅｃｔ－?＾?｜４．?．．．??ｉｎｔｏｌｅｒａｎｔ?ｔｏｌｅｒａｎｔ?Ｅｎｅｒｇｙ?（ｅＶ）?Ｅｄｇｅ?Ｌｅｎｇｔｈ?（ｎｍ）??（ｂ）???＃＾１；?＾?｜：?ｆｅ?０＃??＃?＝?Ｃｌ?ＮＣｓ?Ｃ＜Ｐｂ＜ｌ：Ｂｎ，?ＣｔＰｂ＜Ｂｒ＜Ｄ，????■?Ｍｌ?Ｉ??１．６?１?９?２．２?２．５?２．８?３．１?３．４??Ｅｎｅｒｇｙ?（ｅＶ）??图１－４?（ａ）两种半导体带结构的示意图［Ｂ］，?（ｂ）阴离子交换制备得到的ＣｓＰｂ（Ｂｒ：Ｘ）３（Ｘ
ｅｌｔｓ?Ｎａｎｏｐｌａｔｅｌｅｔｓ??（ｂ）?（ｃ）?????ｘ?＼?／?ＰＬＥ?ｉ?ＰＬ?蟲??Ｔｗｖ?ｉ?Ｉ?Ｉｋ??＿卫１一?１?ｉ?＊?ｍ??２００?３００?４００?５００?６００??Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ?（ｎｍ）??（ｄ）?＾????ｚ?ｉ?／?－?！ｉ?＾?Ｆｔ?／．?．ｊＪＬＬｌｊｌｉｉ：??、－，?’?ｍｋ＾?、、，?ｆ?ｉ?１?ｊｌ！?＊?Ｉ－＇？＇??１０?２０?３０?４０?ＳＯ?６０??２－Ｔｈｅｔａ?（Ｄｅｇｒｅｅ）??图１－５?（ａ）不同形貌的Ｃｓ２Ｓｎ丨６纳米晶的合成示意图［４５］，?（ｂ）?Ｃｌ＿离子饨化ＭＡ３Ｂｉ２Ｂｒ９?ＰＱＤｓ模型??（左）以及在３２５?ｍｎ紫外灯照射下不同Ｃｌ－浓度的ＰＱＤｓ的照片（右）［４７］，?（ｃ）Ｃｓ３Ｃｕ２Ｉ５薄膜的激??发光谱和发射光谱，插图为２５４?ｎｍ激发下Ｃｓ３Ｃｕ２Ｉ５薄膜的照片［５０】，（ｄ）?Ｃｓ２ＡｇＢｉＢｒ６ＮＣｓ的热注入??法合成路线（左）以及在不同环境中测量的Ｃｓ２ＡｇＢｉＢｒ６的Ｘ射线衍射图［５２］??Ｆｉｇ．?１－５?（ａ）?Ｓｃｈｅｍｅ?ｏｆ?ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ?ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ?ｏｆ?Ｃｓ２Ｓｎｌ６?ｐｅｒｏｖｓｋｉｔｅ?ＮＣｓＪ４５Ｊ?（ｂ）?Ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ?ｍｏｄｅｌ?（ｌｅｆｔ）?ａｎｄ??ｐｈｏｔｏｇｒａｐｈｓ?（ｒｉｇｈｔ）?ｏｆ?Ｃｌ．ｐａｓｓｉｖａｔｅｄ?ＭＡ３ＢｂＢｒ９?ＰＱＤｓ?ｕｎｄｅｒ?ａ?３２５?ｎｍ?ＵＶ?ｅｘｃｉｔａｔｉｏｎ．！４７］?（ｃ）?ＰＬ?ａｎｄ?ＰＬＥ??ｓｐｅｃｔｒａ?ｏｆ?ｔｈｅ?ＣＳ３Ｃ１１２Ｉ５?ｆｉｌｍ．?Ｉｎｓｅｔ：?Ｐｈｏｔｏｇｒａｐｈ
本文编号：2951065
【文章来源】：中央民族大学北京市 211工程院校 985工程院校
【文章页数】：79 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
图１－３乳液法（ａ）和热注入法（ｂ）合成ＰＱＤｓ的原理图丨１０’１５】，（ｃ）通过热注入法合成的ＣｓＰｂＢｒ３??ＰＱＤｓ的透射电镜照片丨１２】??Ｆｉｇ．?１－３?Ｓｃｈｅｍａｔｉｃａｌ?ｉｌｌｕｓｔｒａｔｉｏｎ?ｏｆ?ｔｈｅ?ＰＱＤ?ｅｍｕｌｓｉｏｎ?ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ?（ａ）?ａｎｄ?ｈｏｔ－ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ?ｐｒｏｃｅｄｕｒｅ?（ｂ）．１１０＇１５］??（ｃ）?Ｔｙｐｉｃａｌ?ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ?ｅｌｅｃｔｒｏｎ?ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ?ｉｍａｇｅｓ?ｏｆ?ＣｓＰ?
斯托克斯位移小：斯托克斯位移的值与再吸收效应有关，再吸收效应是发光的自我??淬灭，这会严重降低量子点的ＰＬＱＹ。传统的镉量子点中，斯托克斯位移平均测量值为??４０?ｍｅＶ。最近，Ｂｒｅｎｎａｎ等人报道了在ＣｓＰｂＢｒ３量子点中斯托克斯位移与尺寸的依赖性，??研究显示，ＣｓＰｂＢｒ３ＱＤｓ的斯托克斯位移范围为１００－３０ｍｅＶ，边缘长度在４－１２ｎｍ之间，??图１－４?（ｃ）说明了斯托克斯位移与边缘长度的关系，并且尺寸较大的ＰＱＤｓ表现出较低??的?ＰＬＱＹ［２３］。??（ａ）?（ｃ）????／?ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ????？．ｃｓ?＿??＾?＾—、、?一＾＝；＞??｜ｉ?ｊ?：：：：：：：：：：：：：?ｉ?＝－?Ｉ?Ｓ?？?＼?■■?Ｅ??ｇ?ｄｅｅｐａｎｄ＇ｏｒ?’?：?Ｓｔｏｋｅｓ?ｃ??＜Ｄ?ｉ?ｓｈａｌｌｏｗ?ｓｔａｔｅｓ／?ｏ?Ｓｈｉｆｔ?／?７?＼?ｊ?￡?ｏ?％?２??＝／?｜?／?Ａ?ｖｙ｜?｝?＼??ｂａｎｄ?１?二?ｑ?／?＼?＾??ｄｅｆｅｃｔ－?ｄｅｆｅｃｔ－?＾?｜４．?．．．??ｉｎｔｏｌｅｒａｎｔ?ｔｏｌｅｒａｎｔ?Ｅｎｅｒｇｙ?（ｅＶ）?Ｅｄｇｅ?Ｌｅｎｇｔｈ?（ｎｍ）??（ｂ）???＃＾１；?＾?｜：?ｆｅ?０＃??＃?＝?Ｃｌ?ＮＣｓ?Ｃ＜Ｐｂ＜ｌ：Ｂｎ，?ＣｔＰｂ＜Ｂｒ＜Ｄ，????■?Ｍｌ?Ｉ??１．６?１?９?２．２?２．５?２．８?３．１?３．４??Ｅｎｅｒｇｙ?（ｅＶ）??图１－４?（ａ）两种半导体带结构的示意图［Ｂ］，?（ｂ）阴离子交换制备得到的ＣｓＰｂ（Ｂｒ：Ｘ）３（Ｘ
ｅｌｔｓ?Ｎａｎｏｐｌａｔｅｌｅｔｓ??（ｂ）?（ｃ）?????ｘ?＼?／?ＰＬＥ?ｉ?ＰＬ?蟲??Ｔｗｖ?ｉ?Ｉ?Ｉｋ??＿卫１一?１?ｉ?＊?ｍ??２００?３００?４００?５００?６００??Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ?（ｎｍ）??（ｄ）?＾????ｚ?ｉ?／?－?！ｉ?＾?Ｆｔ?／．?．ｊＪＬＬｌｊｌｉｉ：??、－，?’?ｍｋ＾?、、，?ｆ?ｉ?１?ｊｌ！?＊?Ｉ－＇？＇??１０?２０?３０?４０?ＳＯ?６０??２－Ｔｈｅｔａ?（Ｄｅｇｒｅｅ）??图１－５?（ａ）不同形貌的Ｃｓ２Ｓｎ丨６纳米晶的合成示意图［４５］，?（ｂ）?Ｃｌ＿离子饨化ＭＡ３Ｂｉ２Ｂｒ９?ＰＱＤｓ模型??（左）以及在３２５?ｍｎ紫外灯照射下不同Ｃｌ－浓度的ＰＱＤｓ的照片（右）［４７］，?（ｃ）Ｃｓ３Ｃｕ２Ｉ５薄膜的激??发光谱和发射光谱，插图为２５４?ｎｍ激发下Ｃｓ３Ｃｕ２Ｉ５薄膜的照片［５０】，（ｄ）?Ｃｓ２ＡｇＢｉＢｒ６ＮＣｓ的热注入??法合成路线（左）以及在不同环境中测量的Ｃｓ２ＡｇＢｉＢｒ６的Ｘ射线衍射图［５２］??Ｆｉｇ．?１－５?（ａ）?Ｓｃｈｅｍｅ?ｏｆ?ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ?ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ?ｏｆ?Ｃｓ２Ｓｎｌ６?ｐｅｒｏｖｓｋｉｔｅ?ＮＣｓＪ４５Ｊ?（ｂ）?Ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ?ｍｏｄｅｌ?（ｌｅｆｔ）?ａｎｄ??ｐｈｏｔｏｇｒａｐｈｓ?（ｒｉｇｈｔ）?ｏｆ?Ｃｌ．ｐａｓｓｉｖａｔｅｄ?ＭＡ３ＢｂＢｒ９?ＰＱＤｓ?ｕｎｄｅｒ?ａ?３２５?ｎｍ?ＵＶ?ｅｘｃｉｔａｔｉｏｎ．！４７］?（ｃ）?ＰＬ?ａｎｄ?ＰＬＥ??ｓｐｅｃｔｒａ?ｏｆ?ｔｈｅ?ＣＳ３Ｃ１１２Ｉ５?ｆｉｌｍ．?Ｉｎｓｅｔ：?Ｐｈｏｔｏｇｒａｐｈ
本文编号：2951065
本文链接：https://www.wllwen.com/shoufeilunwen/boshibiyelunwen/2951065.html
