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新型高强高弹铜镍硅系合金制备及其微观组织性能的研究

发布时间:2021-01-03 12:16
  Cu-Ni-Si系合金作为高强高弹铜合金的代表,具有良好的导电导热性能,是大规模集成电路引线框架端子制造的关键原材料。Cu-Ni-Co-Si系合金相对于Cu-Ni-Si系合金而言,具有更高的强度和导电性能,可满足超大规模集成电路引线框架材料微型化的发展趋势。但相关专利和产品已被国外所垄断,而新型的Cu-Ni-Co-Si系合金在国内产业化生产方面还处于空白阶段。因此,本论文系统研究不同合金元素对Cu-Ni-Co-Si系合金组织性能的影响规律,确定沉淀强化相的类型,研究合金在固溶时效处理过程中的相变特征,揭示出合金元素-沉淀强化相-加工工艺-机械物理性能的内在关系,为高强高弹Cu-Ni-Co-Si系合金板带材国产化生产和应用提供理论依据,具有十分重要的意义。主要研究内容和结果如下:通过设计不同Ni/Si质量比的Cu-Ni-Si合金,系统的研究Ni/Si比对Cu-Ni-Si 合金组织性 能的影响规律,确定 出了综合性能优异的 Ni/Si 比为 4.2~5.1。在Cu-Ni-Si合金中分别添加微量的Co、Cr、Ti和RE元素后,四种合金的硬度和导电率均有提升,其中Co元素的添加能够促进析出相的... 

【文章来源】:北京科技大学北京市 211工程院校 教育部直属院校

【文章页数】:145 页

【学位级别】:博士

【部分图文】:

新型高强高弹铜镍硅系合金制备及其微观组织性能的研究


图1-2引线框架材料??目前集成电路引线框架材料中有80%以上采用高精度铜合金冲蚀而成

合金,抗拉强度,高性能,时效


?新型高强高弹铜镍硅系合金制备及其微观组织性能的研究???2.2.4?Cu-Ni-Si?系合金??目前,能达到超大规模集成电路VLSI(Very?Large?Scale?Integration)所需??综合性能的理想高性能铜合金主要有两类:其一是高强高导型铜合金,即抗??拉强度大于600MPa,导电率不小于80%IACS;其二是超高强度中导型铜合??金,即抗拉强度不小于800MPa,导电率不小于50%1ACS。图2-1为Cu-Cr、??Cu-Zr、Cu-Fe、Cu-Sn和Cu-Ni-Si等五个系列合金的性能情况t4145L从图2-??1可知Cu-Ni-Si系合金最有希望成为超高强度中导型合金。现己开发的Cu-??Ni-Si系铜合金框架材料最高性能己达到抗拉强度为800MPa,导电率为??40%IACS[46-47]〇??漏??〇[??kn?it?i?I?t.iXt??300?400?500?MO?700?tOO??抗拉强廋/MPa??图2-1高性能铜合金抗拉强度和导电率M??Cu-Ni-Si合金是一种较为典型的时效强化型合金,通过适当的处理可获??得高强度、高导电性,世界各国现己开发出了?20余种Cu-Ni-Si系铜合金框??架材料,最高性能己达到抗拉强度750MPa,电导率45%1ACS,如C70250合??金己经广泛用作超大规模集成电路引线框架材料!48]。??超高强铜合金是国家重大工程和国防军工等所必需的关键材料,加快设??计、研制和产业化的研究,具有重要的社会效益和经济效益。尽管近年来开??发了一些Cu-Ti、Cu-Ni-Sn、Cu-Ni-Mn、Cu-Ni-Al合金,它们具有超高强度和??高温抗应

过程图,机制,合金,过程


体的错??配度大到一定程度时,共格界面将被破坏,界面能升高。第二相尺寸细小,??与基体保持共格关系,以切过机制阻碍位错运动,切过机制的强化主要包括??共格强化、有序强化、表面强化和层错强化;第二相尺寸较大时,第二相与??基体转变为半共格或非共格关系。位错会以绕过机制通过析出相,在其周围??形成位错环,这种机制称为Orowan绕过机制[68],此时的临界切应力即为合??金的屈服强度。切过机制产生的强化效果随析出相的尺寸增加而增强,绕过??机制则正好相反@],切过机制和绕过机制示意图如图2-2所示。??I???.?Particle????Oder*!?parties?cut?IwctokKW.om??to?produce?new?interface?ant卜phase?bound?rv?IAPB)?w?^?L*?■?*?bMwni?一??图2-2切过机制和绕过机制示意图W??(3)细晶强化??合金熔炼过程中通过快速凝固或者加入微量元素限制晶粒快速长大,最??终获得细小的晶粒组织的方式,称为细晶强化。晶粒的尺寸越细小,同体积??内的晶界面积越大,由于晶界两侧的晶粒取向不同,晶粒间的相互滑移变得??困难,使得合金的屈服强度增加,达到了强化的目的[?]。??时效过程中,随着温度的升高或者时效时间的延长,晶粒会逐渐长大并??发生粗化,使得强化效果大大减弱[7|]。实际生产中,往往通过控制热处理工??-12?-??

【参考文献】:
期刊论文
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博士论文
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[4]Cu-Ni-Si合金微结构及相变的计算与模拟[D]. 龙永强.上海交通大学 2011
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本文编号:2954966

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