纳米多孔GaN基薄膜的制备及Beta-氧化镓薄膜的外延生长
发布时间：2020-12-11 22:22
作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表,氮化镓（GaN）是当前研究的热点问题。由于具有禁带宽度大（3.4 eV）、击穿电场高、电子漂移速度快等优良光电特性,因此其在UV-可见光发光二极管（LED）、激光器（LD）、光电探测器以及高频和大功率电子设备中有着重要应用。高质量的氮化镓薄膜是制备高性能光电器件的关键因素。目前,价格低廉的蓝宝石作为异质外延衬底已被广泛用于氮化镓薄膜的外延生长。由于蓝宝石与氮化镓之间存在较大的晶格失配和热失配,因此异质外延生长的氮化镓薄膜存在较大的残余应力和较高的缺陷密度（108-109 Cm-2）,这使得GaN基光电器件具有光电性能低和可靠性差等缺点。由于湿法刻蚀方法可克服GaN基薄膜以上缺点,因此高质量纳米多孔（NP）GaN薄膜的制备及其再生长已成为当前最为热门的研究领域之一。论文以电化学刻蚀（EC）法制备NP-GaN基薄膜为主线,系统研究具有NP-GaN分布布拉格反射镜（DBR）的InGaN基薄膜的光电特性后,采用有机化学气相沉积（MOCVD）法在NP-GaN基薄膜上外延生长GaN LED和β-Ga203单晶薄膜。具体研究内容如下:（1）以硝酸（HN03）或硝...
【文章来源】： 赵冲冲 山东大学
【文章页数】：84 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
图１－２?ＡｌＧａＮ／ＧａＮ?ＨＥＭＴ结构示意图??
山东大学硕士学位论文??（ＤＢＲ）和超级电容器等领域也有着重要应用［１２＿１４］。如：Ｃｈｅｎ等人Ｐ研发出具??有导向结构的氮化镓基ＶＣＳＥＬ?（如图１－３），该结构可应用于光学传感器、可见??光通讯系统、和视网膜扫描显示等设备。Ｓｌｕｅｈ等人［１３】利用电化学刻蚀方法制备??出了导电纳米多孔ＧａＮ／非掺杂ＧａＮ?（ＮＰ－ＧａＮ／ｕ－ＧａＮ）分布布拉格反射镜（图??１－４），该ＤＢＲ有望成为提高ＬＥＤ和激光器发光效率的重要组成结构。Ｗａｎｇ等??人［１４］研发出一种基于氮化镓纳米线（ＧａＮＮＷ）?／石墨纸（ＧＰ）纳米复合材料的??新型柔性超级电容器电极。该复合电极表现出出色的比电容和循环性能，可以用??作柔性储能器件的候选材料。??ｊｒｎ＾??—ｎ－ＧａＮ??Ｉ?■?ＭＱＷｓ??＝?．?，？＿一?Ｃｕｒｒｅｎｔ?ｃｏｎｆｉｎｅｄ?ｌａｙｅｒ??ｓ?ａ＾ａ?＿?ｐ－ｏｓＲ??＆〇ｒＫｉｉｎｇ?ｍｅｔａｌ??Ｌ■■攀，，一顺，厕細—？－—??師?ａｄ??＊???Ｕ?ｉｕｂｓｔｒａｔｅ??图１－３氮化镓基ＶＣＳＥＬ结构示意图??Ｆｉｇ．?１－３?Ｓｃｈｅｍａｔｉｃ?ｄｉａｇｒａｍ?ｏｆ?ＧａＮ－ｂａｓｅｄ?ＶＣＳＥＬ?ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ．??．＇?Ｔｉ??－?ｆＴＯ??ｍｑｗＮ??＾ｏｐｏｒｏｙｓ?ｎ－ＧｏＮ??、爹．??图１－４具有纳米多孔ＧａＮ?／未掺杂ＧａＮ?ＤＢＲ结构的ＬＥＤ示意图??Ｆｉｇ．?１－４?ＬＥＤ?ｗｉｔｈ?ｎａｎｏｐｏｒｏｕｓ?ＧａＮ?／?ｕｎｄｏｐｅｄ?ＧａＮ?ＤＢＲ?ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ．??１．２纳米多孔氮化镓薄膜的研究进展??由于氮化镓衬底的缺失
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【参考文献】：
期刊论文
[1]Fabrication and properties of high quality InGaN-based LEDs with highly reflective nanoporous GaN mirrors[J]. DEZHONG CAO,XIAOKUN YANG,LüYANG SHEN,CHONGCHONG ZHAO,CAINA LUAN,JIN MA,HONGDI XIAO. Photonics Research. 2018(12)
[2]Optical characteristics and environmental pollutants detection of porous silicon microcavities[J]. HUANG JianFeng, LI Sha, CHEN QingWei & CAI LinTao CAS Key Laboratory of Health Informatics; Shenzhen Key Laboratory of Cancer Nanotechnology; Institute of Biomedical and Health Engineering, Shenzhen Institute of Advanced Technology, Chinese Academy of Sciences, Shenzhen 518055, China. Science China(Chemistry). 2011(08)
本文编号：2911316
【文章来源】： 赵冲冲 山东大学
【文章页数】：84 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
图１－２?ＡｌＧａＮ／ＧａＮ?ＨＥＭＴ结构示意图??
山东大学硕士学位论文??（ＤＢＲ）和超级电容器等领域也有着重要应用［１２＿１４］。如：Ｃｈｅｎ等人Ｐ研发出具??有导向结构的氮化镓基ＶＣＳＥＬ?（如图１－３），该结构可应用于光学传感器、可见??光通讯系统、和视网膜扫描显示等设备。Ｓｌｕｅｈ等人［１３】利用电化学刻蚀方法制备??出了导电纳米多孔ＧａＮ／非掺杂ＧａＮ?（ＮＰ－ＧａＮ／ｕ－ＧａＮ）分布布拉格反射镜（图??１－４），该ＤＢＲ有望成为提高ＬＥＤ和激光器发光效率的重要组成结构。Ｗａｎｇ等??人［１４］研发出一种基于氮化镓纳米线（ＧａＮＮＷ）?／石墨纸（ＧＰ）纳米复合材料的??新型柔性超级电容器电极。该复合电极表现出出色的比电容和循环性能，可以用??作柔性储能器件的候选材料。??ｊｒｎ＾??—ｎ－ＧａＮ??Ｉ?■?ＭＱＷｓ??＝?．?，？＿一?Ｃｕｒｒｅｎｔ?ｃｏｎｆｉｎｅｄ?ｌａｙｅｒ??ｓ?ａ＾ａ?＿?ｐ－ｏｓＲ??＆〇ｒＫｉｉｎｇ?ｍｅｔａｌ??Ｌ■■攀，，一顺，厕細—？－—??師?ａｄ??＊???Ｕ?ｉｕｂｓｔｒａｔｅ??图１－３氮化镓基ＶＣＳＥＬ结构示意图??Ｆｉｇ．?１－３?Ｓｃｈｅｍａｔｉｃ?ｄｉａｇｒａｍ?ｏｆ?ＧａＮ－ｂａｓｅｄ?ＶＣＳＥＬ?ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ．??．＇?Ｔｉ??－?ｆＴＯ??ｍｑｗＮ??＾ｏｐｏｒｏｙｓ?ｎ－ＧｏＮ??、爹．??图１－４具有纳米多孔ＧａＮ?／未掺杂ＧａＮ?ＤＢＲ结构的ＬＥＤ示意图??Ｆｉｇ．?１－４?ＬＥＤ?ｗｉｔｈ?ｎａｎｏｐｏｒｏｕｓ?ＧａＮ?／?ｕｎｄｏｐｅｄ?ＧａＮ?ＤＢＲ?ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ．??１．２纳米多孔氮化镓薄膜的研究进展??由于氮化镓衬底的缺失
山东大学硕士学位论文??（ＤＢＲ）和超级电容器等领域也有着重要应用［１２＿１４］。如：Ｃｈｅｎ等人Ｐ研发出具??有导向结构的氮化镓基ＶＣＳＥＬ?（如图１－３），该结构可应用于光学传感器、可见??光通讯系统、和视网膜扫描显示等设备。Ｓｌｕｅｈ等人［１３】利用电化学刻蚀方法制备??出了导电纳米多孔ＧａＮ／非掺杂ＧａＮ?（ＮＰ－ＧａＮ／ｕ－ＧａＮ）分布布拉格反射镜（图??１－４），该ＤＢＲ有望成为提高ＬＥＤ和激光器发光效率的重要组成结构。Ｗａｎｇ等??人［１４］研发出一种基于氮化镓纳米线（ＧａＮＮＷ）?／石墨纸（ＧＰ）纳米复合材料的??新型柔性超级电容器电极。该复合电极表现出出色的比电容和循环性能，可以用??作柔性储能器件的候选材料。??ｊｒｎ＾??—ｎ－ＧａＮ??Ｉ?■?ＭＱＷｓ??＝?．?，？＿一?Ｃｕｒｒｅｎｔ?ｃｏｎｆｉｎｅｄ?ｌａｙｅｒ??ｓ?ａ＾ａ?＿?ｐ－ｏｓＲ??＆〇ｒＫｉｉｎｇ?ｍｅｔａｌ??Ｌ■■攀，，一顺，厕細—？－—??師?ａｄ??＊???Ｕ?ｉｕｂｓｔｒａｔｅ??图１－３氮化镓基ＶＣＳＥＬ结构示意图??Ｆｉｇ．?１－３?Ｓｃｈｅｍａｔｉｃ?ｄｉａｇｒａｍ?ｏｆ?ＧａＮ－ｂａｓｅｄ?ＶＣＳＥＬ?ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ．??．＇?Ｔｉ??－?ｆＴＯ??ｍｑｗＮ??＾ｏｐｏｒｏｙｓ?ｎ－ＧｏＮ??、爹．??图１－４具有纳米多孔ＧａＮ?／未掺杂ＧａＮ?ＤＢＲ结构的ＬＥＤ示意图??Ｆｉｇ．?１－４?ＬＥＤ?ｗｉｔｈ?ｎａｎｏｐｏｒｏｕｓ?ＧａＮ?／?ｕｎｄｏｐｅｄ?ＧａＮ?ＤＢＲ?ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ．??１．２纳米多孔氮化镓薄膜的研究进展??由于氮化镓衬底的缺失
【参考文献】：
期刊论文
[1]Fabrication and properties of high quality InGaN-based LEDs with highly reflective nanoporous GaN mirrors[J]. DEZHONG CAO,XIAOKUN YANG,LüYANG SHEN,CHONGCHONG ZHAO,CAINA LUAN,JIN MA,HONGDI XIAO. Photonics Research. 2018(12)
[2]Optical characteristics and environmental pollutants detection of porous silicon microcavities[J]. HUANG JianFeng, LI Sha, CHEN QingWei & CAI LinTao CAS Key Laboratory of Health Informatics; Shenzhen Key Laboratory of Cancer Nanotechnology; Institute of Biomedical and Health Engineering, Shenzhen Institute of Advanced Technology, Chinese Academy of Sciences, Shenzhen 518055, China. Science China(Chemistry). 2011(08)
本文编号：2911316
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