射频芯片IP化建模技术研究

发布时间：2024-02-26 17:35

　　微波收发前端组件进一步小型化需求推动了射频微系统的发展。随着射频微系统集成度的进一步提高,亟需所需的射频芯片也能够和传统数字/模拟电路一样形成知识产权(Intellectual Property)核,从而能够快速、准确评估射频系统性能。射频芯片IP的协同设计可以大大缩短研发时间,并使快速升级迭代成为可能。由于射频系统电路种类繁多、工作频带广、加工工艺多,实现多功能、全频带、多工艺条件下的射频IP(Radio Frequency Intellectual Property)建核是难点。同时,随着射频系统对大功率的输出特性需求的增加,氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)等半导体材料已经在射频阵列中得到广泛应用。因而,针对GaN、GaAs工艺的射频芯片IP化建模技术研究对于射频系统的高效高水平研发具有重要意义。针对以上难点,本文的研究内容如下:1、毫米波GaAs功放芯片IP模型针对GaAs工艺29³9GHz的功率放大器芯片,建立了基于EEHEMT模型的功放IP模型。首先测试得到所用GaAs HEMT器件的直流IV特性、S参数以及大信号特性,依据测试得到的S参数,提取寄生...

【文章页数】：70 页

【学位级别】：硕士

【文章目录】：
摘要
abstract
第一章 绪论
    1.1 研究工作的背景与意义
    1.2 射频功放建模的国内外研究状况
    1.3 PIN二极管建模国内外研究状况
    1.4 本文的研究内容和结构安排
第二章 功放和开关电路和建模基础
    2.1 引言
    2.2 芯片模型原理
        2.2.1 行为模型理论
        2.2.2 紧凑模型理论
    2.3 HEMT和 PIN工作机理
        2.3.1 HEMT器件结构与工作原理
        2.3.2 PIN二极管器件结构与工作原理
    2.4 本章小结
第三章 GaAs功率放大器模型
    3.1 引言
    3.2 寄生参数提取
    3.3 大信号建模
    3.4 功放电路验证
    3.5 本章小结
第四章 GaN功率放大器模型
    4.1 准物理基的区域划分大信号模型
    4.2 自热与陷阱效应的表征
    4.3 模型结果与讨论
    4.4 本章小结
第五章 PIN开关芯片模型
    5.1 引言
    5.2 PIN二极管模型
        5.2.1 双极扩散方程基本理论
        5.2.2 PIN二极管模型
    5.3 PIN开关芯片模型
    5.4 本章小结
第六章 全文总结与展望
    6.1 全文总结
    6.2 后续工作展望
致谢
参考文献
攻读硕士学位期间取得的成果



本文编号：3911613