半导体技术 核心期刊_半导体技术杂志社官网-半导体技术编辑部投稿邮箱
本文关键词:半导体技术,由笔耕文化传播整理发布。
半导体技术
该刊杂志/杂志社简介:
半导体技术杂志是由中华人民共和国新闻出版总署、正式批准公开发行的优秀期刊。自创刊以来,以新观点、新方法、新材料为主题,坚持"期期精彩、篇篇可读"的理念。半导体技术内容详实、观点新颖、文章可读性强、信息量大,众多的栏目设置,半导体技术公认誉为具有业内影响力的杂志之一。半导体技术并获中国优秀期刊奖,现中国期刊网数据库全文收录期刊。
《半导体技术》(月刊)创刊于1976年,是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》《半导体技术》是中文核心期刊、中国科学引文数据库来源期刊、中国期刊网、中国学术期刊(光盘版)全文收录期刊、美国《剑桥科学文摘》、英国《SA,INSPEC》、和俄罗斯《AJ》来源期刊、中国学术期刊综合评价数据库来源期刊、中国科技论文统计源期刊,河北省优秀期刊。
该刊被以下数据库收录:
《半导体技术》不断发展壮大,现已经成为国内外有一定地位的学术性刊物:
1、收录情况:
国家新闻出版总署收录、中国知网收录、维普期刊网收录、万方数据库收录
CA化学文摘(美)(2011)、SA科学文摘(英)(2011)、Pж(AJ)文摘杂志(俄)收录
JST 日本科学技术振兴机构数据库(日)、剑桥科学文摘社ProQeust数据库收录
中国科学引文数据库来源期刊、《物理学、电技术、计算机及控制信息数据库》
2、统计源期刊:
中国科技论文统计源期刊(中国科技核心期刊)
3、核心期刊:
(1)北大核心期刊:
中文核心期刊(2011)、中文核心期刊(2008)、中文核心期刊(2004)
中文核心期刊(2000)、中文核心期刊(1996)、中文核心期刊(1992)
(2)CSCD 核心期刊
4、数据:
DC数据、MARC数据
5、图书馆藏:
国家图书馆馆藏、上海图书馆馆藏
6、期刊荣誉:
河北省优秀期刊
Caj-cd规范获奖期刊
中国科技论文统计用刊
7、偏重的研究方向:
信息科学、半导体科学与信息器件、集成电路制造与封装
工程与材料、热物性与热物理测试技术、工程热物理与能源利用
半导体技术杂志主要栏目:
趋势与展望、专题报道、应用长廊、设计与开发、支撑技术、新品推荐
半导体技术编辑部投稿联系方式:
地址:石家庄市合作路113号
邮政编码:050051
电话:0311-87091339
电子邮件:informax@heinfo.net
半导体技术杂志社已发表论文目录:
基于AD7150微位移电容传感器的研究黄林,陈向东,谢宁宁,李晓钰
LED热学性能测试方法的研究综述黄元昊,杨连乔,张建华
GaAs10bitDAC的抗辐射设计和实验田国平,吴洪江,朱思成
一种高效时钟树综合实现方法邓尧之,万培元,刘世勋,林平分
高密度集成与单芯片多核系统及其研究进展李东生,高明伦
固态微波毫米波、太赫兹器件与电路的新进展(续)赵正平
固态微波毫米波、太赫兹器件与电路的新进展赵正平
GaN薄膜的椭偏光谱研究余养菁,张斌恩,李孔翌,姜伟,李书平,康俊勇
甚短距离光互连模块技术的发展动态李言胜,吉爱国,聂廷远
小型化三维发夹型LTCC宽带带通滤波器赵永志,王绍东,吴洪江
碱性Cu化学机械抛光液性能研究何彦刚,王家喜,甘小伟,李伟娟,刘玉岭
IGBT关断瞬态电压尖峰影响及抑制汪波,胡安,陈明,唐勇
Ta2O5高k介电薄膜的制备及其电学性质的研究陈勇跃,程佩红,黄仕华
表面注入D-RESURF器件耐压模型李琦,王卫东,张杨,张法碧
大功率激光器阵列光场分布测试方法的研究王晓燕,沈牧,任永学,程义涛
基本周期对一维复周期光子晶体禁带的影响程阳
GaN基板上超薄阳极氧化铝的制备王新中,于广辉,李世国
InP单晶的磁光和热电效应潘静,李晓岚,杨瑞霞,孙聂枫
NPB厚度对堆叠式白光OLED性能的影响刘丁菡,张方辉,阎洪刚,蒋谦
湿热对PoP封装可靠性影响的研究刘海龙,杨少华,李国元
LED受ESD冲击前后性能的变化分析陆海泉,李抒智,杨卫桥,严伟
辐照对PDSOIRFMOS体接触结构器件性能的影响刘梦新,刘刚,,韩郑生
低压力Cu布线CMP速率的研究刘海晓,刘玉岭,刘效岩,李晖,王辰伟
模-数-差信号发生器的设计与实现宁敏东,宁宁,王松德,张栓记
AAO模板的湿法刻蚀研究胡国锋,张海明,邸文文,李育洁,高波,朱彦君
ZnO:Ga透明电极LED的制备及性能分析王书方,张建华,李喜峰
基于表面势的HEMT模型分析吕彬义,孙玲玲,孔月婵,陈辰,刘军,陈磊
单晶Si太阳能电池工艺仿真与性能分析孙玲,罗向东,常志强
InGaAs/InP材料的MOCVD生长研究刘英斌,林琳,陈宏泰,赵润,郑晓光
读卡器末级功率放大器的设计与实现南敬昌,梁立明,刘影
半导体技术杂志社投稿须知:
1、文章标题要简短,能概括中心思想,一般不超过20个汉字,必要时加副标题
2、正文应层次清楚,行文规范,方便阅读,字数一般以2500-8000字为宜,重要稿件可不受此限制
3、题目下面均应写作者姓名、单位名称、所在城市、邮编,多位作者分别列出上述信息
4、来稿必须附有100-300字的内容摘要和3-5个关键词
5、如文章获得基金项目资助,以[基金项目]作为标识,并注明基金项目名称和编号
6、正文中图表主要是文字难以表达清楚的内容,图表应设计合理,先后分别给出图表序号
7、来稿请注明姓名、性别、籍贯、出生年月、学历、职称、工作单位、联系电话、详细邮寄地址
8、希望作者投稿时务必将以上要素补充完整、以减轻编辑部的后期工作负担,谢谢合作!
8、编辑部有权对稿件进行修删,不同意请在稿件中声明
9、请勿一稿多投,发现一稿多投者,一切不良后果由作者承担
10、半导体技术杂志录用通知书为信件版,发放通知书采用快递、请详细写出收信地址
11、若不能被录用,恕不退稿,请作者自留底稿,不同意上述稿件处理方式的作者请转投他刊
12、本站并非半导体技术杂志社和半导体技术编辑部官方网站
13、若向该刊投稿,请直接与半导体技术杂志社编辑部联系
关键词阅读:
延伸阅读:
本文关键词:半导体技术,由笔耕文化传播整理发布。
本文编号:124815
本文链接:https://www.wllwen.com/wenshubaike/chengyudg/124815.html