固体电子学研究与进展

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【杂志简介】
《固体电子学研究与进展》是南京电子器件研究所主办的全国性学术期刊（双月刊），向国内外公开发行。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性学术研究。刊登的内容为：无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统（MEMS）、纳米技术、固体光电和电光转换、有机发光器件（OLED）和有机微电子技术、高温微电子以及各种固体电子器件等方面的创新性科学技术报告和学术论文，论文和研究报告反映国家固体电子学方面的科技水平。
在科技期刊评审中，《固体电子学研究与进展》多次获得部属电子优秀期刊奖，获江苏省第一届、第二届、第三届、第四届优秀期刊奖和第二届华东地区优秀期刊奖。
1992年、1996年、2000年、2004年和2008年五度被《中文核心期刊要目总览》列为相关专业的中文核心期刊，被中国科学院文献情报中心列为科技核心期刊。
本刊已列为国家科技部中国科技论文统计源期刊，被认定为《中国科学引文数据库》来源期刊、《中国学术期刊综合评介数据库》全文收录期刊，已载入《电子科技文献数据库》和《中国工程技术电子信息网》，已被《中国学术期刊（光盘）》和《中国期刊网》全文收录，已进入万方数据资源系统ChianInfo数字化期刊群。
【收录情况】
国家新闻出版总署收录
信息产业部2001-2002年优秀期刊
中国期刊方阵“双效”期刊
江苏省第六届优秀期刊
国外数据库收录：美国化学文摘
【栏目设置】
设有“学术论文”、“研究报告”、“研究简讯”、“会议报道”等栏目。
【投稿须知】
1、来稿要求主题突出，论据充分，内容新颖、创新、实用。来稿采用A4幅面，5号字体，每页40行，每行大约39个汉字，来稿控制在6页以内。建议作者同时介绍一下论文的工作背景、原创性、先进性与指导意义。
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a.期刊：作者.篇名（文题）[J].期刊名称，出版年；卷号（期号）：起止页
b.专著：作者.书名[M].出版地：出版者，出版年；起止页
c.会议录、论文集：作者.文题 [C].文集编者. 会议录或论文集名，，出版地：
出版者，出版年；起止页
d.学位论文：作者.文题 [D]. 学位授予单位，编号或缩微制品序号，年份
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【杂志范例】

2015年04期
1 氧等离子体处理对薄势垒增强型AlGaN/GaN HEMT的影响  王哲力;周建军;孔月婵;孔岑;董逊;杨洋;陈堂胜;  307-310+345
2 短沟道三材料柱状围栅MOSFET的解析模型  赵青云;于宝旗;苏丽娜;顾晓峰;  311-316+365
3 柱形量子点中量子比特的消相干时间  姜福仕;李岩;  317-320
4 S波段280W GaN内匹配功率管的设计与实现  姚实;唐世军;任春江;钱峰;  321-324+391
5 L波段高增益功放模块设计  杨斌;林川;高群;  325-328
6 应用于IEEE 802.11 ac的高线性InGaP/GaAs HBT功率放大器  郑耀华;郑瑞青;林俊明;陈思弟;章国豪;  329-333
7 基于HBT工艺的北斗手持终端功率放大器设计  陈思弟;郑耀华;章国豪;  334-339
8 5.8～6.2GHz高效率InGaP/GaAs HBT J类功率放大器  郑瑞青;郑耀华;章国豪;  340-345
9 WIFI用砷化镓多功能收发芯片设计与实现  李娜;叶建军;杨磊;  346-351
10 一种高集成射频接收前端  黄贞松;宋艳;许庆;杨磊;  352-356
11 X波段8路波导功分器/合成器  周巧仪;崔富义;马福军;  357-359+397
12 基于阶梯阻抗谐振器的双频微带带通滤波器设计  李紫怡;杨维明;朱星宇;彭菊红;张伟;  360-365
13 图形化衬底对GaN基LED电流与发光特性的影响  李丽莎;闫大为;管婕;杨国锋;王福学;肖少庆;顾晓峰;  366-370
14 高压LDMOS击穿电压退化机理研究  金锋;徐向明;宁开明;钱文生;王惠惠;邓彤;王鹏飞;张卫;  371-376
15 红外读出电路中低功耗列读出级电路的设计  沈玲羽;庞屹林;范阳;夏晓娟;吉新村;郭宇锋;  377-382
16 TVS二极管标称参数与静电放电防护能力研究  郭瑶;徐晓英;叶宇辉;高兵生;  383-387
17 高平整度GaN HEMT欧姆接触工艺  陈韬;蒋浩;陈堂胜;  388-391
18 盖板结构对外壳密封可靠性影响的有限元分析  郭怀新;程凯;胡进;王子良;  392-397
19 低温共烧陶瓷共烧焊盘可焊接性研究  严蓉;戴雷;曹常胜;  398-402
20 铝合金微波组件激光密封技术研究  田飞飞;陈以钢;汪宇;周亚;  403-408

2015年03期
1 GaN HFET中的陷阱和局域电子气  薛舫时;  207-216
2 GaN HEMT微波功率管直流和射频加速寿命试验  杨洋;徐波;贾东铭;蒋浩;姚实;陈堂胜;钱峰;  217-220+252
3 100A/1200V Si/SiC混合模块对比研究（英文）  曹琳;王富珍;  221-226
4 平面石墨烯纳米带隧穿场效应管理论设计  赵磊;吕亚威;常胜;王豪;黄启俊;何进;  227-230+240
5 基于忆阻器的Simulink模型及其特性分析  段飞腾;崔宝同;  231-235
6 0.15μm Y型栅高In沟道GaAs PHEMT低噪声器件设计  韩克锋;黄念宁;吴少兵;秦桂霞;  236-240
7 带数字驱动的高集成2～18GHz时延放大多功能MMIC  潘晓枫;李建平;李小鹏;彭建业;  241-245
8 SOI和pHEMT双刀五掷开关对比设计与实现  张志浩;黄亮;余凯;章国豪;  246-252
9 一种UHF RFID标签低功耗物理设计与实现  王成龙;张万荣;万培元;祝雪菲;王树甫;  253-258
10 超小型、高性能L波段LTCC滤波器设计  祁高品;  259-262
11 一种毫米波表贴型外壳的微波设计  李永彬;庞学满;胡进;王子良;程凯;  263-266
12 一种提高硅基OLED微显示器对比度的像素电路  杨淼;张白雪;陈建军;曹允;  267-271+283
13 新型图形化三埋层SOI LDMOS高压器件  高迎霞;孙秀婷;卢智嘉;孟纳新;  272-276
14 适用于两级流水线逐次逼近型模数转换器的LMS校准算法（英文）  郭东东;程旭;曾晓洋;  277-283
15 面向AD9222的SPI模块设计  周雪荣;叶凡;任俊彦;  284-288+295
16 基于无源RFID的集成加速度传感器设计  刘茂旭;何怡刚;邓芳明;陈欢;李得民;  289-295
17 基于DSP和FPGA的短波功放数字预失真算法实现  郭雅琴;叶焱;刘太君;李先印;程琪榕;  296-299
18 芯片粘接空洞的超声检测工艺研究  周庆波;王晓敏;  300-305
19 征稿启事   306
20 芯片级原子钟碱金属吸收泡  黄旼;朱健;石归雄;曹远洪;王文军;  307

2013年 第3期目录
宽禁带半导体
(205)GaN HFET沟道层中的慢输运电子态和射频电流崩塌
薛舫时
(211)氮钝化SiC MOS界面特性的Gray-Brown法研究
刘沙沙 秦福文 朱巧智 刘冰冰 汤斌 王德君
(215)0.15μm GaN HEMT及其应用
任春江 陶洪琪 余旭明 李忠辉 王泉慧 王雯 陈堂胜 张斌
(220)4500V碳化硅肖特基二极管研究
黄润华 李理 陶永洪 刘奥 陈刚 李赟 柏松 栗锐 杨立杰 陈堂胜
(224)高压SiC JFET研究进展
陈刚 柏松 李赟 陶然 刘奥 杨立杰 陈堂胜
器件物理与器件模拟
(228)非对称HALO-LDD掺杂石墨烯纳米条带场效应管的电学特性研究
蒋嗣韬 肖广然 王伟
(237)量子环中电子的激发能量和跃迁谱线频率
姜福仕 赵翠兰
射频与微波
(240)高功率密度高效率28V GaAs PHEMT技术
林罡 陈堂胜
(244)高效率高线性度功率放大器的设计与实现
南敬昌 方杨 李厚儒
(249)Ka波段上变频组件设计
孔斌 陈俊羽 詹铭周 赵伟 徐锐敏
(254)一种具有温度补偿的宽带CMOS可变增益放大器
黄杏丽 秦希 秦亚杰 黄煜梅 洪志良
(260)一种共面波导馈电的超宽频天线研究
吴毅强 胡少文 张烨 罗斌 周辉林
(F0003)51级E／D模A1GaN／GaNHEMT集成环形振荡器
孔月婵 周建军 孔岑 董逊 张有涛 陆海燕 陈堂胜
射频与微波
(266)9～11GHz数字控制LC振荡器
刘隽人 江晨 黄煜梅 洪志良
(271)应用于全数字发射机的射频信号发生器
马志威 赵阳 彭振飞 刘洋 洪志良
材料与工艺
(276)退火时间对SiC热解法制备石墨烯薄膜的影响
李赟 尹志军 赵志飞 朱志明 陆东赛 李忠辉
(280)低漏电、高击穿电容的HDPCVD工艺研究
刘海琪 王泉慧 栗锐 任春江 陈堂胜
硅微电子学
(284)0.18μm RF CMOS双向可控硅ESD防护器件的研究
柯逸辰 梁海莲 顾晓峰 朱兆旻 董树荣
(289)具有T型电荷补偿区的横向超结SOILDMOS
王文廉
(294)应用于片上ESD防护中新式直通型MOS触发SCR器件的研究
郑剑锋 马飞 韩雁 梁海莲 董树荣 吴健
(300)一种适用于MEMS麦克风的新型恒压电荷泵设计
张文杰 杨凤 段杰斌 谢亮 金湘亮

2014年1期

1 磁场对二维量子点两电子系统自旋极化态能级的影响  乌云其木格;辛伟;额尔敦朝鲁;  1-5    

2 柱形量子点中强耦合极化子的性质  马新军;姜福仕;  6-8    

3 有机薄膜晶体管直流电流-电压模型研究  张玲珑;滕支刚;钟传杰;  9-12+28    

4 Ⅲ-Ⅴ族HBT小信号模型直接提取方法  王储君;钱峰;项萍;郑惟彬;  13-17    

5 RTD串联电阻和峰值电压随温度变化的测量与分析  郭维廉;郭琦鹏;谢生;管坤;赵帆;张世林;王伊钿;毛陆虹;  18-23    

6 用于DRFM的4 bit相位量化DAC  张敏;张有涛;李晓鹏;陈新宇;杨磊;  24-28    

7 E/D GaAs PHEMT多功能MMIC设计  刘石生;彭龙新;潘晓枫;沈宏昌;  29-34+40    

8 一种新型有源预失真单片集成电路设计  张奇;王文斌;陶洪琪;张斌;  35-40    

9 S波段150W GaN内匹配功率放大器  杨兴;钟世昌;钱峰;  41-45    

10 RF LDMOS器件与高效率功率放大器设计  郑云飞;王一哲;张小苗;罗玲;曾大杰;宋贺伦;  46-49    

11 一种低功耗全差分交叉耦合环形振荡器设计  程凯;赖松林;程树英;林培杰;章杰;  50-55    

12 2014年《固体电子学研究与进展》征订通知   55    

13 X波段低相噪细步进频率合成器的研制  王川宇;潘碑;丁玉宁;  56-59    

14 基于分频器的开关滤波器组件的设计  魏然;朱臣伟;钱兴成;  60-64    

15 用于多模多频射频前端的单刀八掷SOI天线开关设计  陈磊;赵鹏;崔杰;康春雷;史佳;牛旭;刘轶;  65-68+100    

16 温度对悬臂梁静电驱动RF-MEMS开关性能的影响  张沛然;朱健;姜理利;  69-74    

17 征稿启事   74    

18 夹断电压可调的高压结型场效应管  聂卫东;朱光荣;易法友;于宗光;  75-80    

19 1700V/100A平面型NPT-IGBT静态特性研究  高明超;刘隽;赵哿;刘江;金锐;于坤山;包海龙;  81-85    

20 一种快速启动低噪声片上电源  杨少丹;阴亚东;刘韵清;  86-89  

21 一种低功耗射频无线收发芯片基带控制器  刘韵清;阴亚东;张玢;杨少丹;  90-94    

22 基于基准源提出的一种环路稳态分析方法  王敏;何洋;原义栋;  95-100    

23 千瓦级LDMOS大功率器件研制  王佃利;李相光;严德圣;应贤炜;丁晓明;梅海;刘洪军;蒋幼泉;  101  

2014年2期

1 短沟道双栅MOSFET的亚阈值特性分析  朱兆旻;王睿;赵青云;顾晓峰;  101-105    

2 氮化镓基高电子迁移率晶体管栅电流输运机制研究  焦晋平;任舰;闫大为;顾晓峰;  106-110    

3 1200V沟槽栅/平面栅场截止型IGBT短路耐量特性研究  陈天;杨晓鸾;季顺黄;  111-119    

4 忆阻-电容等效忆感器的有源回转实现及其特性仿真  曹新亮;  120-123+178    

5 1.21.4GHz370W硅双极型晶体管研制  刘洪军;王建浩;丁晓明;高群;冯忠;庸安明;严德圣;蒋幼泉;  124-128    

6 2.14GHzGaN-HEMT脉冲功率放大器设计  姚银华;  129-135+191    

7 三级Doherty功率放大器的研究  南敬昌;方杨;李厚儒;  136-141    

8 基于CMOSSOI工艺的射频开关设计  蒋东铭;陈新宇;许正荣;张有涛;  142-145+162    

9 基于阶梯阻抗hair-pin谐振器的X波段振荡器的设计  李博琼;杨浩;路永钢;  146-151    

10 表贴式MMIC高密度封装外壳微波特性设计  徐利;曹坤;李思其;王子良;  152-156+196    

11 实现色温自动控制的白光LED照明系统设计  李毓钦;陈长缨;王媛;刘平宇;魏其锋;  157-162    

12 基于红白蓝模式色温可调的LED照明系统  刘平宇;陈长缨;张浩;李毓钦;蔡蓉;  163-169    

13 征稿启事   169    

14 嵌入式非平衡超结LDMOST  王文廉;王玉;张晋文;  170-173    

15 快闪存储器阈值电压分布读取和修正方法  谢南;伍冬;刘辉;高岑岑;潘立阳;  174-178    

16 简化4T像素结构CMOS图像传感器设计与实现  赵秋卫;李晓宇;  179-183    

17 基于101.6mm(4英寸)砷化镓晶圆的130nm光刻工艺研究  蔡利康;彭劲松;高建峰;  184-187    

18 SF6和CHF3混合气体各向异性刻蚀WN研究  庸安明;王佃利;蒋幼泉;  188-191    

19 低温共烧陶瓷翘曲度改进工艺研究  严蓉;戴雷;曹常胜;  192-196    

20 Si腐蚀工艺的优化  吕勇;王佃利;盛国兴;蒋幼泉;  197-200  

21 基于外延层转移的GaAs PIN与Si异构集成技术  赵岩;程伟;吴立枢;吴璟;石归雄;黄子乾;  201  

  本文关键词：固体电子学研究与进展，由无忧论文网整理发布。