复旦大学集成电路工艺原理作业07

发布时间：2018-11-14 07:39

相关推荐

复旦大学集成电路工艺原理作业01复旦大学集成电路工艺原理作业01 - 作业 1 :阅读 2011 年国际半导体技术发展规划( ITRS ) 题目 1-3 ...集成电路工艺原理试题总体答案集成电路工艺原理试题总体答案 - 目录 一、填空题(每空 1 分,共 24 分)......复旦大学集成电路工艺原理作业03复旦大学集成电路工艺原理作业03 - 作业 3:光刻 1 1. 对于 NA=0.6 的曝光系统,设 k1=0.6,k2=0.5。考虑 100 nm 到 1000 nm 之间的波长(DUV 至...集成电路工艺原理课后作业文档贡献者 baozexia 贡献于2012-12-07 1 /2 相关文档推荐 集成电路工艺原理...集成电路原理第四章作业... 1页 免费 复旦大学集成电路工艺原... 暂无评价...集成电路工艺原理习题2013集成电路工艺原理习题2013 - 1. CMOS中的p阱的形成。要求表面浓度Cs=4x1017 cm-3,结深xj=2 mm。已知衬底浓度为CB=1×1015 cm3。 设计该工艺过程。 ? x...集成电路工艺原理集成电路工艺原理 - 1 集成电路工艺原理 2 一、衬底材料的类型 1. 元素半导体 Si、Ge…. 2. 化合物半导体 GaAs、SiC 、GaN… 3 二、对衬底材料的要求 ?...现代集成电路工艺原理练习题现代集成电路工艺原理练习题 - 现代集成电路工艺原理练习题 一、填空题 1、制造集成电路的衬底材料主要有三种类型:一是 半导体材料,如砷化镓材料;三是 2、目前常用...集成电路制造技术原理与工艺[王蔚][习题答案(第1单元)集成电路制造技术原理与工艺[王蔚][习题答案(第1单元) - 第一单元 习题 1. 以直拉法拉制掺硼硅锭,切割后获硅片,在晶锭顶端切下的硅片,硼浓度为 3× 1015...集成电路工艺原理期末试题集成电路工艺原理期末试题 - 电子科技大学成都学院二零一零至二零一一学年第二学期 集成电路工艺原理 课程考试题 A 卷(120 分钟) 邓小川 一二三四五六七八九...集成电路工艺原理答案2-5集成电路工艺原理答案2-5 - 第二次作业 1. (1)随着 MOS 器件尺寸不断缩小,栅氧化层的厚度也必须同时减薄。在此情况下,请问 MOS 器件对 Na+的玷污的敏感度...

，

本文编号：2330499