糖基化扫描方法分析KvAP通道电压感受器S3-S4在膜中所处位置

发布时间：2018-01-23 02:37

  本文关键词： KvAP 电压门控机制 膜拓扑结构 电压门控钾通道　出处：《中国医科大学学报》2013年01期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：目的探讨分析KvAP通道电压感受器S3-S4在膜中所处的位置。方法采用膜拓扑结构分析和糖基化扫描方法,对KvAP通道的电压感受器S3-S4在膜中所处位置进行分析。结果 KvAP通道中,S3以Ncyt/Cexo方式插入到膜中,其C端终止于G4,S4以Ncyt/Cexo方式插入到膜中,其N端终止于G40。G4及G40均位于人工插入的G-loop中。结论 KvAP通道S3片段的C端与S4片段的N端位于膜内,电压感受器S3-S4可能为非跨膜片段,S3位于膜的中间;此结果与电压门控机制中的KvAP模型一致。
[Abstract]:Objective To investigate the position of the channel voltage receptor S3 - S4 in the membrane . The method adopts the membrane topological structure analysis and the glycosylation scanning method to analyze the position of the voltage receptor S3 - S4 in the membrane .

【作者单位】： 沈阳医学院基础医学院病理生理教研室;沈阳医学院口腔医学院颌面外科;沈阳医学院国资处;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(30971177) 辽宁省教育厅重点实验室项目(LS2010162)
【分类号】：R33
【正文快照】： KvAP是来源于古细菌的电压门控钾通道(Kv)。Kv通道是组成细胞动作电位的主要外向钾离子电流,它的开放与关闭直接影响着细胞的兴奋性,在心脏和神经的传导冲动中起重要作用[1]。Kv通道是由电压感受器(S1-S4)和孔道区域(S5-P-S6)组成的四聚体通道。S4含有保守的规律排列的数个带，

本文编号：1456455