次氯酸钠的器械、温度和冲洗时间对根管玷污层的清除效果的影响

发布时间：2017-01-05 13:24

  本文关键词：次氯酸钠的器械、温度和冲洗时间对根管玷污层的清除效果的影响，由笔耕文化传播整理发布。

《天津医科大学》 2014年

次氯酸钠的器械、温度和冲洗时间对根管玷污层的清除效果的影响

李蕾  

【摘要】：目的： 比较研究3%次氯酸钠(NaOC1)的不同搅动方式、冲洗温度和冲洗时间对根管玷污层清除效果的影响,找出一种安全有效的清除根管玷污层的方法,为临床应用提供理论依据。 对象与方法： 收集天津医科大学口腔医院颌面外科门诊新鲜拔除的无龋单根前牙180颗,清洁干净后浸泡在0.1%麝香草酚中备用。所有的离体牙均在距根尖15mm处截 冠。 将收集的180颗无龋单根前牙随机分为18组,并对这180颗离体牙用ISO标准手用不锈钢10号K型锉疏通根管,采用机动ProTaper镍钛锉,以Crown-Down法进行根管预备,要求各组预备到F3。在根管预备过程中,每更换一次器械,分别使用以下18种冲洗方案的3%NaOC11ml进行根管冲洗,根管预备完成后每组均用5m1生理盐水冲洗1min,之后用1ml17%EDTA作为终末冲洗1mmin,最后再用5ml蒸馏水冲洗根管,用纸尖干燥根管。 根据3%NaOC1的三种不同搅动方式、冲洗温度和冲洗时间的不同分为以下18组： EndoActivator(EA)组：在根管预备过程中,每更换一次器械后,分别使用20℃或37℃或60℃的3%的NaOCI进行根管冲洗,并将10,000cpm的Endoactivator工作尖深入根管内搅动3%的NaOC1冲洗液30s或60s。 ①EA20℃30s组：EA搅动20℃3%的NaOC1冲洗30s; ②EA20℃60s组：EA搅动20℃3%的NaOC1冲洗60s； ③EA37℃30s组：EA搅动37℃3%的NaOC1冲洗30s； ④EA37℃60s组：EA搅动37℃3%的NaOC1冲洗60s； ⑤EA60℃30s组：EA搅动60℃3%的NaOC1冲洗30s； ⑥EA60℃60s组：EA搅动60℃3%的NaOC1冲洗60s。 被动超声(PUI)组：在根管预备过程中,每更换一次器械后,分别使用20℃或37℃或60℃的3%的NaOC1进行根管冲洗,并使用超声工作尖#15搅动3%的NaOC130s或60s进行被动超声冲洗。 ⑦PUI20℃30s组：PUI搅动20℃3%的NaOC1冲洗30s; ⑧PUI20℃60s组：PUI搅动20℃3%的NaOC1冲洗60s； ⑨PUI37℃30s组：PUI搅动37℃C3%的NaOC1冲洗30s； ⑩PUI37℃60s组：PUI搅动37℃3%的NaOC1冲洗60s； (?)PUI60℃30s组：PUI搅动60℃3%的NaOC1冲洗30s; (?)PUI60℃60s组：PUI搅动60℃3%的NaOC1冲洗60s。 侧方开口冲洗针组(对照组)：在根管预备过程中,每更换一次器械后,应用侧方开口冲洗针,分别使用20℃或37℃或60℃的3%的NaOC1深入根管内进行根管冲洗30s或60s。 (?)对照20℃30s组：侧方开口冲洗针抽取20℃3%NaOC1进行根管冲洗30s; (?)对照20℃60s组：侧方开口冲洗针抽取20℃3%NaOC1进行根管冲洗60s； (?)对照37℃30s组：侧方开口冲洗针抽取37℃3%NaOC1进行根管冲洗30s; (?0对照37℃60s组：侧方开口冲洗针抽取37℃3%NaOC1进行根管冲洗60s； (?)对照60℃30s组：侧方开口冲洗针抽取60℃3%NaOC1进行根管冲洗30s; (?)对照60℃60s组：侧方开口冲洗针抽取60℃3%NaOC1进行根管冲洗60s。 将每颗牙劈开,固定、脱水并喷金,通过Nanosem340热场发射扫描电镜分别观察根尖1/3、根中I/3和冠1／3区的根管玷污层的清除情况。 结果： EA组与PUI组玷污层清除效果有差异,差异有统计学意义(P0.05)。PUI组与对照组玷污层清除效果有差异,差异有统计学意义(P0.05)。 60℃NaoC1组(⑤⑥(?)(?)(?)(?))与37℃NaOC1组(③④⑨(?)(?)(?))玷污层清除效果有差异,差异有统计学意义(P0.05)。37℃NaOC1组(③④⑨(?)(?)(?)组)与20℃NaOC1组(①②⑦⑧(?)(?)组)玷污层清除效果有差异,差异有统计学意义(P0.05)。 冲洗60s的NaOC1组(②④⑥⑧(?)(?)(?)(?)组)玷污层清除效果与30s组(①③⑤⑦⑨(?)(?)(?)(?)组)有差异,差异有统计学意义(P0.05)。 18组根管不同水平玷污层清除效果比较：根尖1/3、根中1/3区和冠1/3区区玷污层清除效果有差异,差异均有统计学意义(P0.05)。 结论： 1.提高NaOC1的温度可以提高玷污层的清除效果。 2.使用60℃NaOC1可以达到最好的玷污层清除效果。 3.应用Endoactivator搅动3%的次氯酸钠玷污层清除效果最好,优于使用被动超声和侧方开口冲洗针。 4.无论使用何种冲洗器械均不能彻底清除根管玷污层,尤其是根尖1/3区。

【关键词】：
【学位授予单位】：天津医科大学
【学位级别】：硕士
【学位授予年份】：2014
【分类号】：R781.05
【目录】：

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本文编号：235145