中波紫外线辐射损伤人角质形成细胞的分子机制研究

发布时间：2020-08-20 15:00

【摘要】：研究背景 表皮主要由角质形成细胞(Keratinocyte,KC)组成,极易受环境因素的损伤。日晒伤细胞(Sunburn cell)是日光中的中波紫外线(ultraviolet B,UVB)辐射损伤的KC。UVB辐射损伤KC主要通过DNA损伤引起的基因毒应激(genotoxic stress)反应,和由于活性氧(reactive oxygen species,ROS)或自由基造成的氧化应激(oxidative stress)反应所致。UVB辐射损伤KC是皮肤癌的主要原因。 细胞周期阻滞(cell cycle arrest)是UVB引发KC应激反应过程中的首发事件。在此期间,受损的KC首先通过启动细胞内复杂而精细的DNA损伤修复系统,以修复因DNA损伤产生的功能基因的突变,这些基因包括维持基因组完整性的管理基因(caretaker genes)和控制细胞增殖和分化的看门基因(gatekeeper genes)。而当DNA损伤严重而修复无望时,则会启动自杀性信号通路诱导凋亡。凋亡(apoptosis)是KC受UVB辐射损伤后,最后也是最重要的保护性应激反应。如果受UVB辐射损伤的KC不能被凋亡清除,带有功能基因异常的KC发生克隆性增生,则会诱发皮肤癌。 UVB辐射损伤KC的应激反应涉及到多种分子事件和信号传导通路。如在KC凋亡过程中的凋亡信号的级联传导;抑癌基因p53及其下游分子对KC细胞周期阻滞和凋亡的调控;核转录因子κB(nuclear factor κB,NF-κB)对KC的应激反应的转录调控;细胞
【学位授予单位】：南京医科大学
【学位级别】：博士
【学位授予年份】：2005
【分类号】：R758.1
【图文】：

AnneXin一V(c)200m/Jem，图1一8FCM分析不同剂量UVB辐射24小时后HaCTa细胞的AnnxeniV阳性率(右下象限)细胞核介导的凋亡检测显示:DNA梯度凝胶电泳在2、12小时不著，24、48和72，J、时显著。图1一9显示不同剂量UVB辐射48小时后HaCaT细胞的DNA梯度电泳图，可见明显的剂量依赖性。12飞4炙6，bp5砚拢J3《洲)图1一9不同剂量UVB辐射48小时后HaCTa细胞的DNA梯度电泳图l为DNA标准分子量:2一7依次为20、40、60、50、100和1ZomJ/cmZ

中剂量UVB辐射NHEK和HaCTa后的p53变化与低剂量UVB辐射结果相似，但p21表达显著，GADD45变化不著，伴随着凋亡的增加，Bxa升高明显。图2一1显示了60nJ/cm，辐射NHEK后P53相关基因水平。

南京医科大学博士学位论文可以反映扩增产物的特异性强，我们也将此扩增产物进行了1.5%琼脂糖凝胶电泳分析，通过图2一4证实了扩增产物的特异性。一】口IXM翻臼讯的YJ一!之。止leeles，l傀jl、.IJ，日26一24一之2一2一气9一沈三’犯卜互一告‘兑﨑乙的。:卫﨑一

本文编号：2798112