50Hz工频磁场暴露对FL细胞线粒体相关凋亡通路的影响

发布时间：2017-03-24 15:09

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【摘要】：实验目的：研究50Hz、0.4mT工频磁场对人羊膜细胞(FL细胞)线粒体膜、线粒体膜间隙蛋白以及细胞凋亡的影响。 实验方法： FL细胞接种于12孔板培养24小时后,分别暴露于50Hz、0.4mT工频磁场不同时间(5min,15min,30min,60min,120min).用钙黄绿素-钴离子作为荧光探针标记细胞,采用流式细胞仪进行检测并分析线粒体膜通透性MPTP (mitochondrial permeability transition pore)的改变；随后用活性氧ROS (reactive oxygen species)清除剂N-乙酰半胱氨酸(N-acetylcysteine, NAC)预处理细胞,检测分析ROS与MPTP之间的关系。利用JC-1荧光探针标记细胞,流式细胞仪检测分析不同时间磁场暴露后FL细胞线粒体膜电位MMP (mitochondrial membrane potential)的改变；采用western blot技术分析工频磁场暴露60min后,胞浆中细胞色素C的水平；同时利用流式细胞术分析工频磁场暴露60min并分别经Oh,3h,6h,12h,24h,36h培养后细胞凋亡的发生率。 实验结果：研究结果表明,FL细胞暴露于工频磁场30min和60min后线粒体膜通透性增高,尤其是60min组差异具有统计学意义(P0.05). NAC预处理细胞能够抑制工频磁场诱导的线粒体通透性增高(P0.05)。然而,工频磁场暴露不影响FL细胞线粒体膜电位的改变。工频磁场暴露60min后,胞浆中细胞色素C含量增高,与假辐照组相比,其差异具有统计学意义(P0.05)；可是,FL细胞暴露于工频磁场60min并经过不同时间(Oh,3h,6h,12h,24h,36h)培养后,细胞凋亡发生率没有明显改变(P0.05)。 结论： 1.50Hz,0.4mT工频磁场暴露可诱导FL细胞线粒体通透性增升高,而且线粒体通透性改变与ROS相关。 2.工频磁场暴露对FL细胞线粒体膜电位无明显影响。 3.工频磁场暴露能够诱导细胞色素C释放到细胞质,然而,工频磁场暴露并不能诱导FL细胞发生凋亡。
【关键词】：工频磁场 MPTP MMP ROS 细胞色素C 细胞凋亡
【学位授予单位】：浙江大学
【学位级别】：硕士
【学位授予年份】：2014
【分类号】：R142
【目录】：

• 致谢4-6
• 中文摘要6-8
• Abstract8-10
• 缩略语10-13
• 1 引言13-16
• 2 实验材料16-21
• 2.1 细胞及培养液16
• 2.2 主要试剂16-17
• 2.3 主要仪器设备17-18
• 2.4 主要耗材18
• 2.5 缓冲液与常用试剂配制18-19
• 2.6 工频磁场辐照系统19-20
• 2.7 分析软件20-21
• 3 实验方法21-27
• 3.1 工频磁场暴露对FL细胞线粒体膜通透性的影响21-22
• 3.2 ROS对工频磁场诱导线粒体膜通透性改变的影响22
• 3.3 工频磁场暴露对线粒体膜电位的影响22-23
• 3.4 工频磁场暴露对细胞色素C释放的影响23-25
• 3.5 工频磁场对FL细胞凋亡水平的影响25-27
• 4. 实验结果27-33
• 4.1 工频磁场暴露对FL细胞线粒体膜通透性的影响27-28
• 4.2 工频磁场诱导FL细胞线粒体膜通透性改变与ROS之间关系28
• 4.3 工频磁场暴露对FL细胞线粒体膜电位的影响28-30
• 4.4 工频磁场暴露对FL细胞线粒体细胞色素C释放的影响30-31
• 4.5 工频磁场暴露对FL细胞细胞凋亡的影响31-33
• 5. 讨论33-37
• 6. 结论37-38
• 参考文献38-42
• 综述42-53
• 参考文献48-53
• 作者简介53

【参考文献】

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1 贾松柏;石晶明;陈，

本文编号：265774