两种磁流变阻尼器的结构设计与性能分析

发布时间：2017-10-10 03:28

  本文关键词：两种磁流变阻尼器的结构设计与性能分析

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【摘要】：针对传统磁流变(MR)阻尼器阻尼通道利用率低的问题,提出了两种磁路结构的优化设计方案。运用ANSYS软件对这两种MR阻尼器的磁路结构进行二维电磁场有限元仿真,分析结果表明两种MR阻尼器磁路结构设计切实可行。采用Bingham模型对两种阻尼器输出力进行预估并得到不同工作状态下的力-速度曲线,结果表明:由于增加了阻尼通道的有效长度,两种改进的阻尼器比活塞尺寸相同的传统阻尼器的最大出力提高1倍以上。
【作者单位】： 中国民航大学航空工程学院;
【关键词】： 磁流变阻尼器 磁路结构 Bingham模型 阻尼通道
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61172013)
【分类号】：TB535
【正文快照】： 0前言1972年美籍华裔学者姚治(J T P YAO)教授明确提出土木工程结构控制的概念,开创了结构振动控制研究的新里程。随着新型智能材料的出现和半主动控制技术的研究,为满足振动结构的安全性与舒适性要求,磁流变(MR)阻尼器作为一种结构简单、能耗低、阻尼力可调、可控性强、响应

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本文编号：1004087