热处理参数对LZO膜外延生长的影响

发布时间：2017-11-06 09:03

  本文关键词：热处理参数对LZO膜外延生长的影响

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【摘要】：研究了热处理参数对LZO膜外延生长的影响。结果显示实验条件范围内,升高热处理温度、延长热处理时间和加快升温速度有利于提高(400)_(LZO)衍射峰的强度。相对于热处理温度、热处理时间和升温速度,LZO膜的织构类型对热处理时的氧分压十分敏感,氧分压直接影响到能否制备出具有单一织构成分的LZO膜。进一步分析显示,传统的形核生长理论可以很好地解释热处理温度、热处理时间和升温速度对LZO膜外延生长的影响。增加氧分压对LZO膜的外延生长存在双重作用,一方面提高氧分压可以降低膜中的积碳量,有利于LZO晶粒的长大,但另一方面,提高氧分压降低膜中的积碳后将导致对自发形核长大过程的抑制作用减弱,最终使得LZO膜不具有单一的立方织构。因此,更合理地控制/改变不同热处理阶段的氧分压才能在改善LZO膜生长动力学的同时又不影响其外延生长。
【作者单位】： 西北有色金属研究院;
【基金】：国际合作项目(2012DFA50780) 陕西省创新团队项目(2013KCT-07)
【分类号】：TM26;TB383.2
【正文快照】： 采用多技术组合开发具有多层膜结构的涂层导体[1-3]是目前高温超导材料的研究热点。国内外的研究结果表明[4-6],TFA-MOD(metalorganic depositionmethod using trifluoroacetates)技术是开发超导层低成本制备技术的最佳选择,但对于缓冲层来说,无论是结构或是制备技术,还处于不

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