调制溅射气压对ZnO∶Ga薄膜结构与光电性能的影响

发布时间：2017-11-29 01:33

  本文关键词：调制溅射气压对ZnO∶Ga薄膜结构与光电性能的影响

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【摘要】：利用射频磁控溅射法分阶段调制溅射气压在石英衬底上沉淀ZnO∶Ga薄膜。实验分为四组,分别是0.7 Pa/1Pa,1 Pa/1 Pa,1.5 Pa/1 Pa,2 Pa/1 Pa。对样品的晶体微结构,电学性质和光学性质进行了分析。经过表征发现:不同溅射气压状态下ZnO∶Ga薄膜都具有(002)方向的择优取向,呈ZnO的六角纤锌矿晶体结构;第一阶段溅射低气压时候的样品的电阻率较低;可见光透过率随着第一阶段溅射气压的升高不断降低;PL分析时,不同的气压状态下都出现紫外发光峰和蓝色发光峰,随着第一段溅射气压的升高样品本征发光峰和缺陷发光峰都加强。
【作者单位】： 景德镇陶瓷大学机械电子工程学院;
【基金】：江西省科技支撑计划资助项目(2010BGA01100) 江西省对外合作资助项目(20111BDH80031,20132BDH80025) 江西省自然基金资助项目(20111BAB202005,20132BAB202001) 江西省主要学科学术和技术带头人培养计划项目(20123BCB22002) 江西省高等学校科技落地计划(KJLD12085) 江西省教育厅科技资助项目(GJJ12494,GJJ13643,GJJ13625)
【分类号】：TB383.2
【正文快照】： 0引言 透明导电薄膜(TCO)一直是现在研究的热点,In2O3∶Sn(ITO)是综合性能最好的透明材料,具有良好的透光性和较低的电阻率,但是In元素稀少,产量有限,ITO薄膜制作成本比较高,所以需要探索其他材料代替它。Zn O是一种六角纤锌矿结构,II-IV族直接宽禁带结 构的半导体材料,它的

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本文编号：1235757