ZnO基薄膜及其紫外光电探测器的制备和特性研究

发布时间：2018-04-04 12:54

  本文选题：射频磁控溅射　切入点：ZnO基薄膜　出处：《长春理工大学》2014年硕士论文

【摘要】：在室温下,ZnMgO薄膜材料的禁带宽度可在3.3eV～7.8eV范围内调节。又由于这种半导体材料分布广泛、制备方法多以及抗辐射能力强,因此,近几年人们越来越关注这种材料的研究及其发展方向。 本论文主要采用射频磁控溅射的方法来生长ZnO薄膜和ZnMgO合金薄膜。并在此前提下,使用光刻工艺的方法制备出具有MSM结构的ZnO和ZnMgO紫外光电探测器,并对薄膜和探测器的性能进行了研究。主要研究了射频磁控溅射的方法生长的ZnO基薄膜的工艺条件对薄膜性能的影响,重点讨论溅射功率对薄膜性能的影响；在此基础上,又研究了光刻工艺后,探测器表面的形貌,以及ZnO基紫外光电探测器的光电性能,并研究了表面处理提高探测器性能的原理。
[Abstract]:At room temperature , the forbidden band width of the ZnMgO thin film material can be adjusted in the range of 3.3 eV to 7.8 eV . As the semiconductor material is widely distributed , the preparation method is high , and the radiation resistance is strong , the research and the development direction of the material are more and more concerned in recent years .

ZnO and ZnMgO thin films were grown by RF magnetron sputtering . In this condition , ZnO and ZnMgO UV detectors with MSM structure were fabricated by photolithographic process , and the properties of films and detectors were studied .
On this basis , the morphology of the surface of the detector and the photoelectric properties of the ZnO - based UV detector are studied , and the principle of improving the performance of the detector is studied .

【学位授予单位】：长春理工大学
【学位级别】：硕士
【学位授予年份】：2014
【分类号】：TB383.2;TN23

【共引文献】

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本文编号：1710033