直流磁控溅射制备超导TiN薄膜

发布时间：2018-07-02 13:48

  本文选题：直流磁控溅射 + TiN　； 参考：《低温物理学报》2017年03期

【摘要】：采用直流磁控溅射法在高阻硅上室温生长TiN超导薄膜.制备了不同溅射功率、溅射气压以及N2/Ar比份条件下的样品.综合物性测量系统(PPMS)测出了样品的超导临界温度Tc在3.2~4.0K之间,给出了Tc与制备条件的关系.X射线衍射(XRD)分析测量了样品的(111)TiN衍射峰半高宽(FWHM)、晶格常数.原子力显微镜(AFM)测量得到表面粗糙度(RES)最好为1.716nm,且给出较高溅射功率有利于降低表面粗糙度.
[Abstract]:Tin superconducting thin films were grown on high resistance silicon substrate by DC magnetron sputtering at room temperature. Samples with different sputtering power, sputtering pressure and N _ 2 / ar ratio were prepared. The superconducting critical temperature (Tc) of the samples was measured by a comprehensive physical property measurement system (PPMS). The relationship between Tc and the preparation conditions was obtained. X-ray diffraction (XRD) analysis was used to measure the half-maximum width (FWHM) and lattice constant of (111) tin diffraction peak. The surface roughness (res) obtained by atomic force microscope (AFM) is 1.716nm, and it is shown that higher sputtering power is beneficial to decrease the surface roughness.
【作者单位】： 南京大学超导电子研究所;
【分类号】：O484.1

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本文编号：2090316