PECVD技术在微结构表面沉积薄膜的复形性

发布时间：2018-07-29 06:44

【摘要】：采用光刻技术、刻蚀技术和等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在线阵掩模微结构表面沉积了SiO2和Si3N4薄膜,研究了线阵掩模的宽度和厚度,以及薄膜的厚度和沉积速率对SiO2和Si3N4薄膜复形性的影响,制备得到了具有良好微结构形貌的微结构滤光片阵列。结果表明,薄膜沉积速率越大,薄膜的复形性越好;掩模厚度和薄膜沉积厚度的增加会导致薄膜的复形性变差;SiO2薄膜的复形性优于Si3N4薄膜的。
[Abstract]:SiO2 and Si3N4 thin films were deposited on the surface of on-line mask by photolithography, etching and plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). The width and thickness of linear mask were studied. The effects of the thickness and deposition rate of the films on the compactness of SiO2 and Si3N4 thin films were investigated. The microstructured filter arrays with good microstructure were prepared. The results show that the higher the deposition rate, the better the compactness of the films, and the higher the mask thickness and the deposition thickness, the more complex the Sio _ 2 films are than the Si3N4 films.
【作者单位】： 西安工业大学光电工程学院;
【基金】：陕西省自然科学基础研究计划(2014JM8333)
【分类号】：O484

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本文编号：2151857