单靶溅射制备铜锌锡硫薄膜及原位退火研究

发布时间：2019-05-10 16:56

【摘要】：采用衬底加热溅射铜锌锡硫(CZTS)四元化合物单靶制备CZTS薄膜,并研究原位退火对制备薄膜的影响.结果表明:在溅射结束后快速升温并保持一段时间,所得到的样品相比于未原位退火的CZTS薄膜结晶质量更好,且表面更平整致密;原位退火后的CZTS薄膜太阳电池性能参数也相应地有所提升,其开路电压(V_(OC))为575 mV,短路电流密度(J_(SC))为8.32 mA/cm~2,光电转换效率达到1.82%.
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【作者单位】：云南师范大学太阳能研究所可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室云南省农村能源工程重点实验室;
【基金】：国家自然科学基金(批准号:61774130,11474248,61176127,61006085) 国际科技合作重点项目(批准号:2011DFA62380) 教育部博士点基金(批准号:20105303120002)资助的课题~~
【分类号】：O484

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